場效應管飽和區是指場效應管輸出特性曲線族中漏源電壓較大,且漏極電流基本不隨漏源電壓增加而變化的部分。
基本介紹
- 中文名:場效應管飽和區
- 外文名:Saturation Region
- 學科領域:模擬電子技術
場效應管飽和區是指場效應管輸出特性曲線族中漏源電壓較大,且漏極電流基本不隨漏源電壓增加而變化的部分。
場效應管飽和區是指場效應管輸出特性曲線族中漏源電壓較大,且漏極電流基本不隨漏源電壓增加而變化的部分。場效應管飽和區是指場效應管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大,且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。...
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為...
IDSS—飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up—夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.Ut—開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的...
在電子科學技術中,飽和狀態是指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態(即開態)。電晶體的工作狀態(或工作模式)包括有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。對於BJT(雙極型電晶體)和對於FET(場效應電晶體),飽和狀態的含義大...
上述的公式也是理想狀況下,金氧半場效電晶體在飽和區工作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體漏極電流會因為溝道長度調製效應而改變,並非與VDS全然無關。考慮溝道長度調製效應之後的飽和區電流—電壓關係式如下:襯底...
當Vds較低時,JFET的溝道呈現為電阻特性,是所謂電阻工作區,這時漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升,但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大;進一步增大Vds時,溝道即首先在漏極一端被夾斷,則漏極電流達到最大而飽和...
各點相連,得到概述圖中的虛線OA,它表示場效應管恰好預夾斷時U(DS)與U(GS)的關係,也即可變電阻區與飽和區(恆流區)的分界線。可變電阻區的參數特點 在可變電阻區內,當U(GS)不變時,I(D)隨U(DS)的增加近似直線上升,且U...
器件亞閾值區,漏極電流表達式可簡化為:其中 為閾值電壓,為熱電壓 ,為載流子有效遷移率,為器件溝道長度。器件線性區( ),漏極表達式可簡化為 其中 為半耗盡區有效柵電容。器件飽和區( ),漏極電流表達式可簡化為 小 平帶情形,...
飽和壓降(Saturation Voltage Drop)是指在飽和區內,電晶體集電極和發射極間電壓。在飽和區內,電晶體集電極和發射極間電壓叫做飽和壓降,用U(CES)表示。對於小功率電晶體,其數值約為0.2~0.3V;對於大功率電晶體,其值往往超過1V...
場效應管飽和區是指場效應管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大,且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。這段特性曲線近似水平,故又叫“恆流區”。它表示場效應管預夾斷後I(D)和U(DS)之間的關係。在該區域內,I(...
MOS場效應電晶體具有很高的輸入阻抗,在電路中便於直接耦合,容易製成規模大的積體電路。各種場效應管特性比較 在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示:雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅動電流分別增加15%和32%,飽和...
它反映了U(GS)對I(D)的控制作用。轉移特性可以根據輸出特性得到,因為兩者都反映著場效應管U(DS)、U(GS)和I(D)之間的關係。下文均以N溝道場效應管為例進行說明。增強型MOSFET的轉移特性 對於增強型MOSFET,在飽和區內,不同的U(...
它反映了U(GS)對I(D)的控制作用。轉移特性可以根據輸出特性得到,因為兩者都反映著場效應管U(DS)、U(GS)和I(D)之間的關係。下文均以N溝道場效應管為例進行說明。增強型MOSFET的轉移特性曲線 對於增強型MOSFET,在飽和區內,不同...
飽和失真 靜態工作點過大,在信號正半周進入了輸出特性曲線的飽和區。方法是提高工作電壓、適當調小靜態工作點,輸入信號幅度。截止失真 靜態工作點過低,信號負半周進入了輸出特性曲線的截止區。方法是提高靜態工作點、適當減小輸入信號...
ds)是指U(GS)為常數時,u(DS)微變數與i(D)微變數之比,即 交流輸出電阻反映了漏源電壓對漏極電流的影響,其幾何意義是場效應管輸出特性曲線上靜態工作點處切線斜率的倒數,故在飽和區(恆流區)內其值很大,可達數百千歐。
在工程計算中,與恆流區相對應的轉移特性可以近似地用下式表示:Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)式GS0127中VP≤UGS≤0,IDSS是UGS=0時的漏極飽和電流。絕緣柵雙極電晶體(IGBT)■IGBT的結構和工作原理 ◆IGBT的結構 ☞是三端...
4.3 MOS場效應電晶體的直流電流—電壓特性 (240)4.3.1 MOS場效應電晶體線性區的電流—電壓特性 (240)4.3.2 MOS場效應晶體管飽和區的電流—電壓特性 (241)4.3.3 亞閾值區的電流—電壓特性 (242)4.3.4 MOS場效應...