摻雜程度

摻雜程度（doping level）是指在無機半導體中，雜質原子取代主原子位置的過程。

而導電高聚物中常用的滲雜術語，其物理含義與傳統的無機半導體中所常用的摻雜概念完全不同，具有如下的特點:（1）從化學角度講摻雜的實質是氧化一還原過程;（2）從物理角度講摻雜是離子嵌入的過程;（3）摻雜和脫摻雜是完全可逆的過程，導電高聚物脫摻雜後除去高電導率特性外，摻雜量大大超過無機半導體摻雜量的限度。所以，離子與導電高聚物進行氧化一還原反應的程度J為摻雜程度。