掩模版陰影效應

掩模版陰影效應是指照明光線會被吸收層的邊緣擋住而達不到底部的反射層上。

基本介紹

• 中文名：掩模版陰影效應
• 外文名：mask shadowing effect

在EUV光刻機中，入射光線是以6°的入射角照射在掩模版上。

照明光線會被吸收層的邊緣遮擋而達不到底部的反射層上，產生所謂的掩模版陰影效應（mask shadowing effect）。掩模的陰影效應會導致CD偏差和圖形的平移。

解決陰影效應的辦法有兩個：一是降低吸收層的厚度，較薄的吸收層可以有效地減少陰影區域。二是通過圖形修正，即在設計掩模圖形時就考慮到陰影效應，有意的引入修正。