基本介紹
- 中文名:掩模放置誤差
- 外文名:mask placement error
產生原因
縮小掩模放騙地恥置誤差的工作主要集中在兩個方面:一是能精確測量掩模之間的嫌趨拘放置誤差,或者叫套刻誤差;二是根據測量的放置誤差對曝光工藝做良請主修正,使得欠民修正後的放置誤差減小。一種測量和修正系閥跨煮統工作墊局譽囑流程由Zeiss提出的,被稱為RegC。首先用掩模在晶圓上曝光,測量曝光圖形與晶圓上參考圖形之間的套刻誤差,使用修正模型分析測量數據,確定曝光區域內套刻(intra-field)誤差修正後的殘留。把修正後的殘留輸入到RegC系統中,RegC控制電子束曝光,在製備新掩模時控制圖形的放置位置對這些殘留的誤差做補償。RegC可以修正光刻機對準系統無法修正的一部分曝凳榆簽才光區域內部的套刻誤差。