掩模誤差增強因子

掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨掩模圖形線寬（CDmask）變化的斜率。

基本介紹

• 中文名：掩模誤差增強因子
• 外文名：Mask Error Enhancement Factor
• 英文縮寫：MEEF

掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨掩模上圖形線寬（CDmask）變化的斜率，即

式中，掩模圖形的線寬（CDmask）已經按光刻機曝光圖形的縮小倍數折算成了晶圓上的尺寸，對於大多數光刻機是除以4，CDwafer隨CDmask的變化如圖1所示。當圖形尺寸遠大於光刻機的瑞利解析度（Rayleigh resolution limit，λ/NA）時，MEEF較小，基本上為1。也就是說，掩模上圖形線寬的誤差會1：1地反映到光刻膠圖形上，ΔCDwafer=ΔCDmask/4。隨著掩模版上圖形尺寸的減小（即k1減小），MEEF會增大。

圖1 CDwafer隨CDmask的變化示意圖

掩模誤差增強因子(MEEF)是為了定量地表示掩模上的特徵尺寸誤差對光刻膠中圖形特徵尺寸誤差的影響程度，其用於放大掩模誤差。這可能導致鄰近效應和偏差問題，而且要比成像系統的正常減小因子要大得多。對掩模規格的經濟影響將會是嚴重的。文獻MEEF in Theory and Practice研究了黑暗特徵的MEEF理論描述:孤立的線，孤立的柱，和密集的1:1線/空間特徵。在一般情況下，MEEF的密集特徵是小於1的，而孤立特徵的MEEF總是大於1。這類在孤立和密集特性之間的“MEEF差距”可能有助於解釋光學鄰近效應修正（OPC）對疏密偏差的敏感性。