成核生長機理

成核生長機理nuclcua growth mechanism理想晶面1二金屬電結晶過程的理論。此理淪認為，在理想平整的<111>面上，由於存在“生長點”，因此，Hk3F1體繼續生Yl的前提是在晶面上出現新的晶核。晶核的形成是晶體生長過程的速率控制步驟.在未完成的理想晶面上，晶面的繼續生長只能在少數占有最低能量位置的“生長點”或’生長線”上進行。金屬離子在晶面上任一位置都可放電並形成“吸附原子”，然後通過擴散轉移到“生長線”和“生長點”。