層生長理論

亦稱“二維成核理論”。關於晶體成長機理的兩種基本理論之一。認為在*晶核生成之後,首先是介質中的一些原子被吸引落到晶核的某個晶格面上,並相互聚合成一小片具有足夠大小面積而得以穩定的原子層,形成凸起在晶格面上的一個孤島狀小平台(即所謂的二維晶核),此後介質中的原子即能自發地在此平台周緣的凹角位置上不斷地向外依次堆積,直到長滿完整的一層為止。然後在新的晶格面上又重複以上的過程;如此逐層地向外平行推移而成長。當生長停止時,其最外層的晶格面即保留為晶體的實際晶面。