亦稱“PBC理論”。關於晶體成長機理的兩種基本理論之一。認為晶體在成長初期按層生長機理成長,但之後當晶格內部積蓄了內應力後,將可能導致晶格發生剪下滑移而出現螺型位錯,使得原來平整的晶格表面產生了一個局部的台階,其凹角處則成為介質中原子向晶格堆積的有利位置;且此台階不會因原子向凹角處的不斷堆積而消失,只是隨之而繞位錯線的露頭相應地不斷向前推移其所在位置,而整個晶面則呈螺旋狀上升而逐層向上延展成長。此機理已被晶面螺紋等實際證據所確證,並在顯微鏡下實時觀察到了其成長的動態過程。即使在低過飽和度介質中晶體仍能按此機理成長。
