快速氣相摻雜

快速氣相摻雜是一種摻雜劑從氣相直接向矽中擴散、並能形成超淺結的快速摻雜工藝。利用快速熱處理過程（RTP）將處在摻雜氣氛中的矽片快速均勻地加熱至所需要的溫度，同時摻雜劑發反生應產生雜質原子，雜質原子直接從氣態轉變為被矽表面吸附的固態，然後進行固相擴散，完成摻雜目的。

基本介紹

• 中文名：快速氣相摻雜
• 外文名：Rapid Vapor-phase Doping

同普通擴散爐中的摻雜不同，快速氣相摻雜在矽片表面上並不形成含有雜質的玻璃層。對氣相摻雜劑流量的精確控制是保證摻雜濃度和均勻性滿足要求的重要條件，一般是通過稀釋氣體（如氫氣）控制氣態摻雜劑的濃度。最終的表面摻雜濃度Cs和結深xj，取決於氣態摻雜劑的濃度、熱處理時間和溫度。硼的摻雜劑通常是B2H6，磷的摻雜劑通常是PH3，它們的載氣均使用H2。

快速氣相摻雜在ULSI工藝中得到廣泛地套用，例如對DRAM中電容的摻雜，深溝側牆的摻雜，甚至在CMOS淺源漏結的製造中也採用快速氣相摻雜技術。在很多方面快速氣相摻雜可以替換離子注入技術，與離子注入製造的器件相比，快速氣相摻雜製造的短溝CMOS器件顯示出更好的特性。