微溝槽效應

典型的微溝槽效應如圖1所示。微溝槽效應估計是由高能離子在刻蝕結構的側壁下滑並直接轟擊濺射側壁的邊角造成的。其機理說明如圖2所示。由於側壁表面近於垂直的角度，小角度掠射到側壁的離子會被直接反射到側壁底部的邊角，形成一種聚焦效應，是側壁邊角處的刻蝕速率額外增加。這種假設已得到蒙特卡洛模擬的證實。顯然，微溝槽效應與側壁垂直度和離子入射角關係密切。一般來說，刻蝕深度越深，微溝槽效應越明顯。刻蝕側壁的負電荷積累也會加重微溝槽效應，因為負電場會使更多的離子偏轉向側壁表面。向刻蝕表面噴射電子，例如，用寬束電子輻照樣品表面，可以在某種程度上中和刻蝕表面電荷分布的不均勻，達到減少微溝槽效應的效果。