《強流負離子永磁濺射PIG離子源的研究》是於金祥為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
《強流負離子永磁濺射PIG離子源的研究》是於金祥為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。項目摘要本項目研究用永磁濺射ＰＩＧ源產生強流負電子，尤其是強流氧負離子的機理和方法。研究空間和電極表面過程對負離子產生的影響；磁...
雙空心陰極金屬離子源（Duhocamis）是在德國GSI間熱陰極PIG離子源基礎上，於2007年提出來的具有新結構的強流金屬離子源，由空心陰極圓筒取代PIG中的空心陽極圓筒，用磁鏡場取代其均勻磁場。然而對其空心陰極濺射金屬電漿的形成過程、放電特性及其與PIG放電的相關性了解很少，尤其缺少實驗證據。本項目在原有雙空心陰...
濺射型負離子源是指用正離子束去轟擊工作物質，就能得到該種物質的負離子。若用銫離子束去濺射周期表第Ⅳ族以後電子親合力較大的元素，可以得到該元素微安級的負離子束流。若使氫或氬離子束通過一個充有氣態工作物質的孔道，就能得到數微安的該物質負離子束流。目前離子源技術還在不斷地發展著。環形雙電漿離子...
雙彭源 雙電漿離子源和 PIG離子源的綜合。大功率的雙彭源是一種單電荷態的強流離子源，可以引出安培級以上的離子流。小型裝置也有用來作為多電荷重離子源的。從外形結構看，雙彭源只是在雙電漿離子源的陽極外側增設一個對陰極。但從放電原理看，它兩種離子源有很大差別。前三個電極組成類似於雙電漿...
（3）開展帶電粒子特別是高電荷態離子與物質相互作用研究。如：高電荷態離子在固體表面的散射與能量損失研究，高電荷態離子引起晶體表面損傷及團簇濺射，高電荷態離子納米刻蝕效應的矽基光電子材料或其他光電材料的製備及性能研究，軌道電子與原子核間超精細相互作用研究，裸核核衰變行為的研究，離子束改性與離子束分析...
《新型全離子離子源的研究》是依託蘭州大學，由孫別和擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本研究已完成了一台新型全離子離子源的研製工作。在這台源中，採用了工作在電子迴旋共振條件的微波電漿陰極，在源放電室結構的配置上巧妙地利用了氬離子的濺射機制。在一台源上實現了產生所需氣、固態元素離子束的目的。
氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表面電離過程都能產生離子，並被引出成束。根據不同的使用條件和用途，已研製出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙電漿離子源和雙彭源。這些源都是以氣體放電過程為基礎的，常被籠統地稱為弧源。高頻離子...
另還研究了氧原子在金屬表面及體內的擴散行為。在實驗方面，研製了一個銫離子濺射負離子源及供電和控制系統，各項指標均達到設計要求；設計和加工了符合高真空要求的作用靶室，並建立起中性粒子探測系統。針對引進的同位素分離器上離子源易損零件消耗大的問題，重新設計和研製了中空陰極離子源系統。改進後的離子源整體...
自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史，自此以後，分子束的套用在二十世紀持續到二十一世紀，它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎，分子束用於濺射源是其中套用之一。儘管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到，直到十九世紀四十年代，隨著真空技術的進步，Herzog和Viehbock 才在實驗中第一...
MEVVA源 基本介紹 M EVVA源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱。這是上世紀80年代中期由美國加州大學伯克利分校的布朗博士由於核物理研究的需要發明研製成功的。這種新型的強流金屬離子源問世後很快就被套用於非半導體材料離子注入表面改性，並引起了強流金屬離子注入的一場革命，這種獨特的離子注入機被稱為新一代金屬離子...
氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表面電離過程都能產生離子，並被引出成束。根據不同的使用條件和用途，目前已研製出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙電漿離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎的,常被籠統地稱為弧源高頻離子源...
至於靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀分布。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係。 在E X B shift機理下工作的除磁控濺射外，還有多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小等因素。磁控濺射的基本原理是利用 Ar一O2混合氣體中的電漿在電場和...
氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表面電離過程都能產生離子，並被引出成束。根據不同的使用條件和用途，目前已研製出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙電漿離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎的,常被籠統地稱為弧源高頻離子源...
《離子束濺射動態過程的同軸背反射掃描電鏡原位研究》是依託武漢大學，由蔣昌忠擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 利用高能同軸背反射電子探測原理，改造S－550掃描電鏡，同時在樣品室側面附加濺射離子源。改造後的電鏡既能獲得二次電子象，也能獲得高能同軸背反射電子象。利用這二種信號原位研究濺射率隨入射能量、...
採用RF離子源的中子管，引出的束流密度大，而且大多是單原子離子，束流的利用率可以達到80%以上，產生同等產額中子所需的氘，氚氣體的量比較少，對引出極和靶的濺射損傷非常小，能夠解決目前中子管壽命短、穩定性差的問題。通過建立專用實驗平台，研究RF離子源的設計、離子引出結構及提高引出束流的方法。採用光譜分析...
ZSS)、次級離子質譜(SZMS)等。超靈敏質譜（加速器質譜）、帶電粒子活化分析、離子激發光譜、離子激發俄歇電子譜等正在發展中。用於離子束分析的MV級加速器已有專門的商業化設備。用途 ③離子束加工較低能量的離子束廣泛用於工業加工，如離子減薄、離子拋光、離子束打孔、離子束刻蝕、離子束濺射金屬膜等。
《電漿濺射陰極與材料遷移過程的研究》是依託北京大學，由付東坡擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 利用雙空心陰極金屬離子源（DUHOCAMIS），其大間隙磁鏡場穩定箍縮管狀空心陰極所包圍的電漿與陰極內表面構成離子-表面作用系統的便利條件，通過變化陰極的結構和材料，結合離子源有無離子束引出的兩種情...
本項目以2×1.7MV串列加速器的銫濺射負離子源為基礎，設計搭建了團簇離子注入系統，用銫濺射矽靶的方法引出了矽的單離子及團簇離子束，用團簇注入對矽烯的製備工藝進行了研究探索。 （1）矽團簇負離子束的產生：以高純壓鑄矽靶，用銫離子進行濺射，得到了Si1-Si7團簇離子，束流為5.5nA-24μA，表明該裝置...
對銫濺射離子源進行了改進設計，增加了靜電掃描和團簇離子注入靶室，獲得了原子數1-10的B, C, F, Si, Fe, Bi, Se等的團簇離子束及其分子團簇，且為負離子束，其中Fe離子束流10nA，而C、Si團簇束流達到10nA-50微安，利用這些團簇進行了離子注入製備單層與少層石墨烯、矽烯、過渡金屬離子注入製備磁性半導體的...
這種電荷積聚在碟片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由於與自由電子相比較高的正離子濃度，電漿本身產生略微正電荷。由於大的電壓差，正離子傾向於朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由於反應離子的大...
《離子注入製備BiFeO3/ZnO/graphene多鐵性器件》是依託武漢大學，由付德君擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用串列加速器的銫濺射離子源產生C10團簇負離子束，注入Ni/SiO2/Si，輔以退火、電漿刻蝕及化學腐蝕，除去Ni表面graphene和Ni膜，在SiO2表面直接形成graphene，然後沉積BiFeO3/ZnO，製成BiFeO3/ZnO/graphene/...
但是，由於二次離子濺射機理較為複雜，定量分析仍存在許多問題。今後發展和改進的主要方向是：提高質譜解析度，以減少和排除二次離子質譜干擾；實現多種質譜粒子探測，以獲得樣品和多種粒子的信息和資料；定量分析和離子濺射機理的研究；新型液態金屬離子源的套用；離子探針與多種儀器（如X射線光電子能譜、紫外光電子能...
MASS SPECTROMETRY 6 (6): 481-490 2000 7. 直線式飛行時間質譜儀解析度的研究, 周振, 蘇永選, 楊芃原, 李福明, 王小如和黃本立, 分析儀器, No. 4, 6, 1998 8. 強短脈衝輝光放電陰極濺射逐層分析研究, 周振, 蘇永選,，弓振斌,楊芃原，王小如和黃本立, 分析科學學報, Vol. 13, No. 2, 89, 1997 ...
直接引入法是將低揮發性樣品直接裝在探針上，將探針送入真空腔內，然後給探針通大電流加熱，使探針的溫度急劇上升至數百度（一般不超過 400 ℃），樣品分子受熱後揮發形成蒸氣，該蒸氣受真空腔內真空梯度的作用被直接引入到離子源中離子化。由於溫度對樣品的揮發度影響較大，需精確控制溫度，但這也使固體選擇性進樣...
實驗室研製的儀器與裝置包括：雷射光譜系統、針尖增強拉曼光譜儀、雷射濺射電離飛行時間質譜儀、瞬短脈衝輝光放電離子源-飛行時間質譜儀、高解析度電噴霧飛行時間質譜儀、多功能同步螢光光譜儀、單分子流式檢測儀、攜帶型液相色譜儀、石油多功能螢光光譜儀、PCD-1型高性能智慧型化離子色譜儀、攜帶型色譜儀、BOD工程樣機、...
高頻放電離子源，是核物理、電漿化學的重要研究工具。微波放電線光譜輻射源、連續光譜輻射源等，套用於物理學、化學的研究工作中。在近代微電子技術中，利用高頻濺射的方法可避免靜電荷的影響。在可控核聚變研究中，微波放電可用作初始電漿源，微波放電還可作為介質，用以研究波的傳播、轉化、吸收、電漿穩...
7：陽極區：可看到陽極暗區和陽極輝區。套用：氣體放電器件，如氣體放電燈（螢光燈、霓虹燈、原子光譜燈、氖泡）、穩壓管、冷陰極閘流管等。雷射器中用正柱區實現粒子束反轉，粒子束裝置中冷陰極離子源，半導體工藝中電漿刻蝕，薄膜濺射沉積，電漿化學沉積等。光電流效應機理：亞穩態（壽命約10^(-4)s...
（1）把潘寧發電離子源作為一种放電方式沉積出了Sic薄膜；（2）潘寧放電在密封電真空器件真空度測量中的套用；（3）把潘寧放電的冷陰極上濺射產生的金屬離子用於重離子直線加速器和全能加速器，並且分析和測量了大量的從陰極上濺射下來的帶電的金屬離子；（4）製造潘寧濺射儀器在很低的氣壓下得到了成分中含有靶的...
離子源 在小型測井中子管和其它小型中子管中採用的penning 離子源由於結構簡單、工作氣壓低、供電系統簡單、工作可靠等優點等到了廣泛的套用，但其電離後的單原子離子所占比例低，要獲得高產額中子所需束流大、離子濺射和二次電子發射嚴重，對靶散熱、高壓電源提出較高要求。RF 射頻離子源屬於無極放電，不存在絕緣問題...
鄭蘭蓀運用雷射濺射、交叉離子－分子束、離子選擇囚禁等技術，設計了獨特的雷射濺射團簇離子源，研製了多台雷射產生原子團簇合成裝置，發現了一系列新型團簇，研究了它們的特性和規律。建立了液相電弧、雷射濺射、輝光放電、微波電漿等多種合成方法，製備了一系列特殊構型的團簇及相關納米結構材料。通過合成與表征一系列...
