張文號

張文號，男，博士，華中科技大學物理學院副教授。

基本介紹

• 中文名：張文號
• 畢業院校：清華大學
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師
• 任職院校：華中科技大學

個人經歷

2004-2008年 華中科技大學物理系，學士學位；

2008-2014年 清華大學物理系，博士學位；

2014-2016年 復旦大學物理學系，博士後研究；

2016年-至今 華中科技大學物理學院，副教授。

學術成果

1. 利用分子束外延技術，在SrTiO₃襯底上成功生長出了FeSe薄膜，並在單層FeSe薄膜中發現高達20 meV的超導能隙，表明有可能存在接近液氮溫度（77 K）的超導轉變跡象。（Chin. Phys. Lett.(2012)）
2. 結合掃描隧道顯微鏡，電學輸運，互感線圈，掃描透射電鏡，脈衝強磁場等強大有效地工具，系統深入的研究了FeSe/SrTiO₃界面超導的特性。（Chin. Phys. Lett. (2014)，Scientific Reports(2014)）
3. 利用高分辨角分辨光電子能譜實驗手段，系統研究了單層FeSe/SrTiO₃薄膜的電子結構，並建立了詳細的超導相圖。（Nat. Commun. 3, 931 (2012), Nat. Mater. 12, 606 (2013), Nat. Commun. 5, 5047 (2014), Proc. Natl. Acad. Sci. USA (2014)）
4. 利用結合掃描隧道顯微鏡、電學輸運測量以及場效應技術，研究了真空退火對單層FeSe/SrTiO₃薄膜超導性質的影響。由此，證明了電子摻雜有利於增強FeSe/SrTiO₃體系的界面超導。（Phys. Rev. B (2014)）
5. FeSe薄膜表面電子摻雜效應的。測量了不同層厚(1-20UC) FeSe薄膜表面沉積鹼金屬原子（K）後，其電子結構的變化情況，得到了超導隨電子濃度摻雜效應的電子相圖。並比較了不同襯底上（SrTiO₃和Grapene/SiC）FeSe薄膜的超導電性對電子摻雜的回響。實驗數據證明了電子摻雜有利於增強FeSe的超導，並排除了應力作用。厚層FeSe薄膜最佳超導能隙 ~ 9 meV，對比單層FeSe/SrTiO₃上高達15 meV的超導能隙，表明其餘的貢獻來自於界面效應，如電聲耦合增強等。（Nano Lett. (2016)）

主講課程

2017-2018學年第一學期課程：大學物理