層狀生長模式

層狀生長模式是指在一個完備的平台表面上存在成核勢壘，那么就會有二維島狀成核的可能，隨後實現逐層生長。可以想像，每一層生長必須在下一層開始前完成，但這種情況只能是成核速度很慢而生長很快時發生。不少金屬和半導體均勻外延時，就具有這樣的生長特點。實際表面存在不同的高度分布，對應的表面或多或少地將表現出租握，顯然，這是由於動力學而不是熱力學原因造成的]。這種粗糙度，不僅與品面平台上的增原子擴散有關，面且也與原子能克服的勢全及合併到單層島邊緣的具體機制有關。

如果用Ag代替Au，即將Ag汽化並沉積在自身的（111）晶面，實驗時發現：Ag/Ag(111)和Au/Ag(111)兩個體系的第一單層膜生長的情況非常相似。但是，在隨後的生長階段，兩個體系就不同了。這是由於第一層生成以後，對Au/Ag(111)體系，是Au在Au襯底上繼續生成；對Ag/Ag(111)體系，則是Ag在襯底Ag表面上的連續生長。一般在沉積開始時，外來原子首先被捕集在台階附近，後來的吸附原子將沿平台擴散、成核長大。隨著覆蓋率的提高，台階作用將隨之減弱。顯然，這種台階作用是非常有意義的，但至今還只能進行定性說明。