基本介紹
- 中文名:對準精度
- 外文名:Alignment Precision
光刻機的對準系統(alignment)負責把掩模上存在的圖形與晶圓上已有的圖形進行對準,對準精度(Alignment Precision,AP)則為掩模上與晶圓上圖形對準時套刻的精度。...
對準操作在電子製造裝備中大量使用。精密對準主要用於光刻工藝中掩模板與晶圓的對準、晶片鍵合時晶片與基板的對準、表面組裝工藝中元器件與PCB基板的對準。此外,精密...
先進光刻機要求有極高的對準精度,而對準精度(alignment precision, AP)與所需要測量的對準標記數目(N)成反比,即測量的標識越多,所能達到的對準精度越高[1] 。...
對準標識是指積體電路製造工藝中,凡是在對準雷射照射下能產生衍射的周期性結構都可以被認為是對準標識。然而,在實際工藝條件下,對準標識還必須滿足其他條件:第一,...
打擊固定目標時,飛彈命中精度用圓機率偏差(CEP)描述。它是一個長度的統計量,即向一個目標發射多發飛彈,要求有半數的飛彈落在以平均彈著點為圓心,以圓機率偏差為...
陀螺羅經法對準是一種方位自動對準的過程。對捷聯式慣導系統來說,陀螺羅經法和傳遞對準法是兩種基本的初始對準方法。陀螺羅經法的目的是確定IMU坐標系統(或機體系...
《捷聯慣性導航系統初始對準技術》研究與論述了捷聯慣性導航系統的初始對準技術。全書內容分為七章,分別為概述、捷聯慣性導航系統誤差分析、捷聯慣性導航系統粗對準...
一種用於介質基片上光刻圖形的零層對準標記結構,為設定在介質基片邊緣的直角型縱向通孔。...
電晶體自對準技術,這是製作MOS大規模積體電路的一種重要工藝技術。採用該技術即可減小其中MOSFET的寄生電容,大大提高工作頻率和速度。...
《捷聯式慣導系統動靜基座初始對準》共分13章。第1章簡述了捷聯式慣導系統的基本原理和初始對準的要求與特點;第2章論述了捷聯式慣導系統的誤差方程、可觀測性和...
書名捷聯慣導動基座對準新方法及導航誤差抑制技術研究 書號978-7-118-10262-8 作者練軍想等 出版時間2016年6月 譯者 版次1版1次 開本16 裝幀平裝 出版基金 ...
飛彈制導精度,也叫飛彈控制導航準確度,表征飛彈實際彈道偏離理想彈道的程度。是評定飛彈制導系統的主要性能指標,是決定導 彈命中誤差的重要因素。用制導誤差的統計指標...
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷矽片表面...
由於平台存在航向效應,使得陀螺儀與加速度無關的漂移在各個位置都相等的條件不再成立,這對平台的多位置自對準的對準精度影響極大,故應對平台的航向效應進行檢驗、...
使用四象限探測器來完成掩模的預對準是一種行之有效並且經濟適用的方法,對於實現掩模版的預對準完全可行,通過初步的實驗發現,該系統可以完成在10mm的對準精度,在...