《射頻輝光放電矽烷電漿的診斷技術與機理研究》是依託汕頭大學，由林揆訓擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：射頻輝光放電矽烷電漿的診斷技術與機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：林揆訓
- 依託單位：汕頭大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：19475027
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 申請代碼：A2903
- 支持經費：7.5（萬元）
項目摘要
射頻輝光放電電漿化學氣相沉積是製備各種功能薄膜的重要工藝技術，廣泛套用於微電子器件，平面采色電視和計算機終端等大面積平面顯示及各種光電感測器件。電漿參數的診斷和調控，是研究薄膜沉積機理、製備優質薄膜的關鍵技術和難題。我們用獨創的加熱型調諧探針，在國際上首次實現了對探針射頻干擾和中毒效應的同時抑制；首次用線上的四級質譜分析了射頻輝光放電矽烷電漿的中性基團成分、豐度分布和矽烷氣體的消耗率；用發光射譜的測量分析了電漿的加熱模式。套用這些診斷技術，建立了具有國際先進水平的高速成膜工藝技術，以十倍於常規速率製備了優質的非晶矽薄膜；製備了高速膜的非晶矽太陽電池；建立了非晶矽成膜機理模型。
