《射頻/微波功率新型器件導論》是2013年復旦大學出版社出版的圖書，作者是黃偉。
基本介紹
- 中文名：射頻/微波功率新型器件導論
- 作者：黃偉
- 原作品：Novel RF/MW power device introduction
- 出版社：復旦大學出版社
- 出版時間：2013年
- ISBN：9787309096170
- 中圖分類號：TN710
- 出版地：上海
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書基於射頻功率新理論，以矽基雙極微波功率新型器件研製為突破點，對矽基外延材料選定、器件結構設計、關鍵技術開發、複雜電學特性最佳化等難點進行系統分析，為解決此類器件在熱、電、可靠性等複雜問題提供一種有效的設計方法學。
圖書目錄
第一章 引言
1.1 微波功率器件的研究背景
1.2 矽雙極微波功率器件的發展
1.3 國內外研究現狀.
1.4 本書內容來源與安排
第二章 雙層多晶矽微波功率管的橫向參數與縱向參數設計
2.1 本章概要
2.2 矽雙極微波功率電晶體的工作原理及主要參數
2.3 器件指標
2.4 器件設計
2.4.1 外延材料的選擇
2.4.2 器件縱向參數設計
2.4.3 器件橫向參數設計
2.5 微波功率器件的版圖設計
2.5.1 器件版圖的結構
2.5.2 覆蓋式與梳狀版圖結構圖形優值比較
2.5.3 光刻掩模版的編號、名稱、次序及最小
2.5.4 器件的測試結構
2.6 本章小結
第三章 器件特性的模擬分析
3.1 本章概要
3.2 雙層多晶矽微波功率管的電學特性模擬
3.3 提升器件擊穿電壓的槽終端技術
3.3.1 器件槽終端技術的發展
3.3.2 槽深對擊穿電壓的影響
3.3.3 槽寬對擊穿電壓的影響
3.3.4 槽中填充物對擊穿電壓的影響
3.3.5 深槽終端技術與其他終端技術的比較
3.4 功率管多子胞技術
3.4.1 器件的三維熱電耦合模型
3.4.2 器件的發射極布局
3.4.3 結果的分析與討論
3.5 本章小結
第四章 鎳矽化物薄膜的熱穩定性及其套用研究
4.1 本章摘要
4.2 矽化物的發展過程
4.3 nisi的熱穩定性的研究
4.4 摻pt，mo，w，zr和ta對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.4.1 摻pt對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.4.2 摻mo對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.4.3 摻w對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.4.4 摻zr對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.4.5 摻ta對nisi薄膜熱穩定性的改善
4.5 鎳矽化物熱穩定性的理論研究
4.6 nimsi/si肖特基器件的套用研究
4.6.1 nimsi/si肖特基器件的設計
4.6.2 肖特基器件的工藝流程.
4.6.3 nisi/sicapti肖特基器件的電學特性：
4.6.4 niptsi/si,nimosi/si,niwsi/si,nizrsi/si和nitasi/si器件的電學特性研究
4.7 nisi與niptsi，nimosi,niwsi,nizrsi和nitasi熱穩定性的比較
4.8 本章小結.
第五章 關鍵工藝技術的研究
5.1 本章概要
5.2 矽深槽隔離技術研究
5.3 外基區的形成以及側牆-發射極的形成
5.3.1 外基區的形成
5.3.2 基區側牆的形成
5.3.3 發射極的形成
5.4 自對準鈷矽化物引線技術
5.5 本章小結
第六章 器件製造流程
6.1 本章概要
6.2 器件的結構特點和工藝特點
6.3 器件的工藝流程
6.4 工藝流片中的注意事項
6.5 本章小結
第七章 微波功率器件的測試與分析
7.1 本章概要
7.2 器件的直流參數測試
7.3 深槽擊穿特性的合格率測試
7.4 器件的熱性能測試
7.5 器件的微波特性測試結果
7.6 本章小結
第八章 射頻/微波功率器件的最新發展
8.1 本章概要
8.2 微波功率器件的主要領域
8.2.1 無線通信領域
8.2.2 軍用電子系統和雷達
8.2.3 醫療電子
8.3 rf-ldmos技術的發展
8.3.1 rfldmos的關鍵參數
8.3.2 rf-ldmos的新結構器科
8.4 algan/ganhemt毫米波技術
8.4.1 algan/ganhemt高電子遷移率器件毫米波功率技術的起源
8.4.2 algan/ganhemt高電子遷移率器件毫米波功率技術的發展
8.5 本章小結
參考文獻
