寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室（西安電子科技大學），經過3年邊建設邊開放，取得了以下顯著成就：實驗室在寬禁帶半導體材料生長、表征、改性、寬禁帶半導體器件等方面成績顯著。先後承擔“973”等重要科研項目近40項，研究經費8000多萬元，獲得省部級科技獎5項，獲國家發明專利5項，SCI/EI/ISTP收錄學術論文376篇次。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室（西安電子科技大學）
- 依託：西安電子科技大學
- 始建於：2004年
- 博士比例：61%
簡介,學術成就,
簡介
實驗室學術會議學術成就
經過3年邊建設邊開放，取得了以下顯著成就：實驗室在寬禁帶半導體材料生長、表征、改性、寬禁帶半導體器件等方面成績顯著。先後承擔“973”等重要科研項目近40項，研究經費8000多萬元，獲得省部級科技獎5項，獲國家發明專利5項，SCI/EI/ISTP收錄學術論文376篇次。建立了GaN和SiC電子材料與器件的研究平台，部分研究成果達到目前國際先進水平。在人才建設方面，形成了具有較高學術水平、年齡結構合理的研究隊伍和學術梯隊。累計共投入建設經費3500萬元，建設實驗室面積3600 m2，其中淨化實驗室總面積達1200 m2。同時，實驗室與國外相關實驗室和研究機構建立並發展了廣泛的合作關係。重點實驗室正式開放以後，將為進一步推動我國半導體基礎研究向國際先進行列邁進，加速我國半導體產業的發展，把我校建設成為國際知名國內一流的研究型大學做出應有的貢獻。
實驗室設備
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