在富鋰(Li2O：NbO3=58．5/41．5)熔體中生長了質量良好的近化學計量比鈮酸鋰單晶，其紫外吸收邊位置為308nm，居里溫度超過了1200℃。測量了其Z向晶片的壓電係數如，並且觀察了Z向晶片的1800°疇，結果證明除少數區域外，所生長晶體為單疇。
砷化鎵,實驗,
砷化鎵
(GaAs)為第二代半導體材料，GaAs襯底質量直接影響器件性能。利用JEM-2002透射電子顯微鏡(TEM)及其主要附屬檔案X射線能量散射譜儀(EDXA)，對半絕緣砷化鎵(SI-GaAa)單晶中微缺陷進行了研究。發現SI-GaAa單晶中的微缺陷包含有富鎵沉澱、富砷沉澱、砷沉澱、GaAa多晶顆粒和小位錯回線等。還分析了微缺陷的形成機制。
實驗
採用無液封高壓合成工藝合成7N的鎵和7N的砷，要求合成的GaAs多晶產品配比As/（Ga+As）為0.498～0.505。在熱解氮化硼（PBN）坩堝里裝入GaAs多晶料和一定量的B2O3，B2O3的水含量要求為3×10－4～7×10－4不同類型，再將坩堝裝入Melbourn高壓單晶爐中熱系統內。採用低壓全液封切克勞斯基（LP-FEC）（lowpressurefullencapsulated Czochralski）工藝進行晶體生長。生長出的晶體進行一步開管熱處理以改善電學參數均勻性和釋放晶體熱應力，然後從晶體頭、尾切割測試片。
晶體的電阻率和遷移率採用Hall測量法測量，晶體中碳濃度採用室溫局部振動紅外吸收譜法測量，硼濃度採用二次離子質譜測量，位錯密度採用KOH熔融法測量。
