宋文斌(大連東軟信息學院副教授)

宋文斌，大連東軟信息學院副教授，畢業於中國科學院研究生院，研究方向：微納MOS器件結構，器件模型研究。

基本介紹

• 中文名：宋文斌
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 職業：大連東軟信息學院副教授
• 畢業院校：中國科學院研究生院
• 研究方向：微納MOS器件結構，器件模型研究

履歷

2000年-2003年 ：中國電子科技集團第47所合作完成高壓VDMOSFET產品設計與生產

2003年-2005年 ：西安微電子技術研究所合作完成0.35u SOI SRAM存儲器工藝研究

取得成績

參與項目

1、參與項目：“納米尺度矽積體電路器件與工藝基礎研究”（973項目）；

2、參與項目：“亞50納米器件的關鍵工藝基礎研究和器件製備”（973項目）；

3、負責項目：“SOI MOS器件的極低功耗結構設計及其性能研究”（遼寧省科技廳項目）；

4、參與項目：“嵌入式存儲器的測試及可測性設計研究”（遼寧省教育廳項目）；

5、參與項目：“在《高級數字系統設計與驗證》課程中運用CDIO的工程教育思想的探索與實踐”（遼寧省高等教育教學改革項目）

6、參與項目：“遼寧省微系統重點實驗室”（遼寧省科技廳項目）；

7、負責項目：“大連東軟信息學院-英特爾微電子工程實踐教育中心” （遼寧省教育廳項目）；

發表論文與專利

1、A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations（Vol.30,No.2 February 2009.Journal of Semiconductors）

2、Improvement on SOI DTMOSFET Structure（Vol139, No.2 Apr. 2009 .Microelectronics）

3、Novel Body-Contact Structure Technology for Partially Depleted SOI MOSFET（Vol.33 No.11 November 2008 .Semiconductor Technology）

4、Narrow Channel Effect of PD MOSFETs with LOCOS Isolation（Vol . 30 No. 5 Oct . 2007. Chinese Journal of Electron Devices）

5、Influence of silic ide on the ESD protection in SO I NMOSFETs（Vol.14，No.6 Dec. 2008 . Journal of Functional Materals and Devices）

6、一種製作部分耗盡SOI器件體接觸結構的方法(發明專利：ZL200810116043.0)。