《安全靜態隨機訪問存儲器（SRAM）的研究與設計》是依託華中科技大學，由鄒雪城擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：安全靜態隨機訪問存儲器(SRAM)的研究與設計
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄒雪城
- 依託單位：華中科技大學
- 批准號：60776027
- 申請代碼：F0402
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：30（萬元）
中文摘要
在研究通用的靜態隨機訪問存儲器（SRAM）的基礎上，研究低成本高安全性SRAM的結構以提高SRAM的抗攻擊性能，同時，仍然保留SRAM低功耗高頻寬的優點。本課題的目標是針對高安全性SRAM的可信設計和抗攻擊機制研究，重點是從電路設計上徹底解決通用SRAM 在掉電情況下的信息殘留問題，達到從物理層面上防止SRAM存儲的機密信息被攻擊的目的。為此，本課題基於90nm標準 CMOS混合信號工藝技術，提出了兩種可以徹底解決SRAM信息殘留問題的設計方法- - 消除6-管SRAM鎖存單元中的數據電荷的方法和清零或改寫SRAM存儲信息的方法。這兩種設計方案具有電路拓撲結構簡單、易於與SRAM集成的優點。.本課題的研究成果可以為安全SRAM的設計和實現提供理論基礎，將對金融、國防和軍事等領域的信息安全產生積極而重要的影響。
