孫立忠(湘潭大學教授)

孫立忠,男,1971年1月出生。博士,湘潭大學材料與光電物理學院教授、博士生導師。

基本介紹

  • 中文名:孫立忠
  • 出生日期:1971年1月
  • 職業:教授
  • 性別:男
人物經歷,主講課程,研究方向,主要貢獻,

人物經歷

1999~2002 華北工學院 碩士。
孫立忠
2002~2005 中國科學院上海技術物理所 博士。
2005至今 湘潭大學材料與光電物理學院 任教。
2006年破格晉升副教授、碩士生導師。2009年破格晉升教授。2010年晉升博士生導師。
現任職於湘潭大學材料與光電物理學院。2005年獲得中國科學院院長優秀獎。近年來主要從事紅外光電子材料,稀磁半導體材料及鐵電材料的第一性原理研究工作。

主講課程

研究生: 固體理論、固體能帶理論、固體物理導論。
本科: 計算物理及其套用、近代物理基礎、固體物理與半導體物理、半導體物理學、量子力學基礎。

研究方向

1:半導體雜質缺陷物理 。
2:紅外光電子材料HgCdTe雜質缺陷對材料性能影響的第一性原理研究。
3:稀磁半導體材料磁性起源的第一性原理研究。
4:低維系統電子輸運的量子調控。

主要貢獻

1. 教育部“新世紀優秀人才支持計畫”項目, 主持(編號:NCET-10-0169), 2011.01-2013.12。
2. 國家自然科學基金面上項目,六角層狀氮化硼光電屬性的應力調製,主持(No.10874143)2009.1-2011.12。
3. 湖南省高校創新平台開放基金項目“石墨納米帶電輸運特徵的量子調製”,主持(項目編號:10K065)2011年1月-2013年12月。
4. 教育部博士點新教師基金項目,II-VI族半導體材料中複合雜質的第一性原理研究,主持(編號:20070530008)2008.01-2010.12(結題)。
5. 湖南省教育廳優秀青年項目, 紅外光電子材料HgCdTe中As雜質與Hg空位複合雜質的耦合機理研究, 主持 (編號:06B092) 2007.1-2009.12(結題)。
6. 紅外物理國家重點實驗室開放課題 碲鎘汞材料中As摻雜與Hg空位複合摻雜效應, 主持 (編號:200501) 2005-2007(結題)。
主要論文
標記星號為通訊作者
[1]L.Z. Sun, Chen Xiaoshuang, Jijun Zhao, J.B. Wang, Y.C. Zhou, Lu Wei, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1-xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219-(1-7) (2007)。
[2]L. Z. Sun, X. S. Chen, Y. L. Sun, X. H. Zhou, Z. J. Quan, and Wei Lu,Relaxations and boning mechanism in Hg1-xCdxTe with mercury vacancy defect: First-principles study, Phys. Rev. B 73, 195206 (2006)。
[3]L. Z. Sun, X. S. Chen, Y. L. Sun, X. H. Zhou, Z. J. Quan, H. Duan, and Wei Lu,Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te:First-principles study,Phys. Rev. B 71,193203 (2005)。
[4]C.X. Zhang, Chaoyu He, Lin Xue, K.W. Zhang, L.Z. Sun*, Jianxin Zhong, Transport properties of zigzag graphene nanoribbons with oxygen edge decoration, Organic Electronics (accepted, 2012)。
[5]Wei Zou, Zhizhou Yu, C.X. Zhang, J.X. Zhong, L.Z. Sun*, Transport properties of hybrid graphene/graphane nanoribbons, Appl. Phys. Lett. 100, 103109 ( 2012) ( has been selected for the March 26, 2012 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology)。
[6]Chaoyu He, Lizhong Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang and Jianxin Zhong,Z-BN: a novel superhard boron nitride phase,Phys. Chem. Chem. Phys. DOI: 10.1039/C2CP41368J (2012)。
[7]Chaoyu He, L. Z. Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang and Jianxin Zhong, Four superhard carbon allotropes: First-principles study, Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 8410-8414 (2012)。
[8]Chaoyu He, Lizhong Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang, and Jianxin Zhong, New Superhard Carbon Phases Between Graphite and Diamond, Solid State Communications 152, 1560 (2012)。
[9]C. X. Zhang, Chaoyu He, Zhizhou Yu, K. W. Zhang, L. Z. Sun*, J. X. Zhong,Transport Properties of Zigzag Graphene Nanoribbons Decorated by Carboxyl Group Chains, J. Phys. Chem.C 115, 21893 (2011)。
[10]Zhizhou Yu, Mingliang Hu, Chunxiao Zhang, Chaoyu He, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Transport Properties of Hybrid Zigzag Graphene and Boron Nitride Nanoribbons, J. Phys. Chem.C ,115, 10836(2011)。
[11]M. L. Hu,Zhizhou Yu,K. W. Zhang,L. Z. Sun*, J. X. Zhong,Tunneling magnetoresistance of bilayer hexagonal boron nitride and its linear response to external uniaxial strain,J. Phys. Chem.C 115, 8260 (2011)。
[12]Zhizhou Yu , L. Z. Sun*, C.X. Zhang , J. X. Zhong, Transport properties of corrugated graphene nanoribbons, Appl. Phys. Lett. 96, 173101(2010) ( has been selected for the May 10, 2010 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology.)。
[13]L. Xue, D. H. Tang, X. D. Qu, L. Z. Sun*, Wei Lu, J. X. Zhong, Hydrogen passivation and multiple hydrogen-Hg vacancy complex impurities (nH-VHg, n=1,2,3,4) in Hg0.75Cd0.25Te, J. Appl. Phys.110, 053704( 2011)。
[14]Zhizhou Yu, L. Z. Sun*, X. L. Wei, J. X. Zhong, Novel Transport Properties of Gold-SWCNTs Composite Contacts, J. Appl. Phys. 108 , 064318 (2010). ( has been selected for the September 27, 2010 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology)。
[15]M. L. Hu, J. L. Yin, C. X. Zhang, Zhizhou Yu, and L. Z. Sun*, Electronic structures and optical properties of hexagonal boron nitride under hydrostatic pressures. J. Appl. Phys. 109,073708,(2011)。
[16]C.X. Zhang, Chaoyu He, Zhizhou Yu, L. Xue, K. W. Zhang, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Effects of oxygen-containing defect complex on the electronic structures and transport properties of single-walled carbon nanotubes, Phys.Lett.A 376, 1686 (2012)。
[17]Jie Li, M. L. Hu, Zhizhou Yu, J. X. Zhong, L.Z. Sun*, Structural, Electronic and Magnetic Properties of Single Transition-metal Adsorbed BN Sheet: A Density Functional Study, Chem. Phys. Lett.532, 40( 2012)。
[18] M.L. Hu, Zhizhou Yu, J.L. Yin, C.X. Zhang, and L. Z. Sun*, A DFT-LDA Study of Electronic and Optical Properties of Hexagonal Boron Nitride under Uniaxial Strain, Computational Materials Science 54, 165 (2012)。
[19]N Jiao, Chaoyu He, C. X. Zhang, Xiangyang Peng, K.W. Zhang, and L. Z. Sun*, Modulation effect of hydrogen and fluorine decoration on the surface work function of BN sheets, AIP Advances 2, 022125 (2012)。
[20]H.P. Xiao, Zhizhou Yu, M.L. Hu, X.Y. Peng, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Zigzag graphene nanoribbons: flexible and robust transparent conductors, Solid State Sciences 14, 711( 2012)。
[21]W.Wang, L. Z. Sun*, C.Tang, X.L.Wei, J.X.Zhong,Configuration and electronic properties of graphene nanoribbons on Si (2 1 1) surface,Appl.Surf.Sci, 257, 2474 (2011)。
[22]Chaoyu He, Zhizhou Yu, L. Z. Sun*, and J.X.Zhong, Work function of hydrogenated boron nitride nanoribbons: first-principles study, J. Comp. Theo. Nanoscience 9, 16 (2012)。
[23]J.L. Yin, M.L. Hu, Zhizhou Yu, C.X. Zhang, L. Z. Sun*, J.X. Zhong, Direct or Indirect Semiconductor: the Role of Stacking Fault in h-BN, Physica B 406, 2293 (2011).。
[24]L. Z. Sun, X. S. Chen, X. H. Zhou, Y. L. Sun, and Wei Lu, First principle study on the bonding mechanism of nanoring structure Ga8As8, Eur.Phys.J.D 34, 47 (2005).。
[25]L. Z. Sun, X. L. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, and Lu Wei, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907 (2006).。
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[33] L. Ji, C. Tang, L.Z. Sun*, J.X. Zhong, Nucleation effect of Sia of 6H SiC (0 0 0 1) (√3*√3)R300 surface: First-principles study, Physica B 405 3576, (2010).。
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[35] 孫立忠, 陳效雙, 周孝好, 孫沿林, 全知覺, 陸衛, 碲鎘汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究 ,物理學報 54, 298 (2005)。
[36] 孫立忠,陳效雙,郭旭光,孫沿林,周孝好,陸衛,CdTe和HgTe能帶結構的第一性原理計算,紅外與毫米波學報,23,271(2004)。
[37] 韓金良,孫立忠*,陳效雙,陸衛,鐘建新,Au在Hg1-xCdxTe材料中p型摻雜的第一性原理研究,物理學報 59, 1202 (2010)。
[38] 劉君民,孫立忠*,陳元平,張凱旺,袁輝球,鐘建新,鑭銥矽電子結構與成鍵機理的第一原理研究,物理學報 58, 7826 (2009)。
[39] 李金,桂貴,孫立忠*,鐘建新,單軸大應變下二維六角氮化硼的結構變化,物理學報 59, 8820 (2010)。
[40] 唐冬華, 薛林, 孫立忠*, 鐘建新, B在Hg0.75Cd0.25Te中摻雜效應的第一性原理研究, 物理學報 61, 027102(2012)。
[41] 專利:陸衛,孫立忠,李寧,陳貴賓,王少偉,陳效雙,李志鋒,光學讀出的氮化鎵單量子阱超音波感測器,發明專利,專利號:ZL 200310109249.8,授權公告號:CN 1264018C。

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