孫甲明,2006年10月以來被聘為南開大學物理學院教授,博士生導師。2007年入選教育部新世紀優秀人才計畫。
基本介紹
- 中文名:孫甲明
- 國籍:中國
- 民族:漢
- 畢業院校:吉林大學物理系
個人簡介,工作經歷,科研成果,
個人簡介
1991畢業於吉林大學物理系。1998年七月畢業於中科院長春物理所獲博士學位。1998年8月-2000年8月在中國科學院物理研究所做博士後。 2000年9月-2001年9月獲得日本科技興業集團(JST)獎學金資助在日本東京大學工學部電子工程系做博士後研究工作。 2001-2006年在德國Rossendof研究中心離子束物理和材料研究所工作。
工作經歷
1991年到1998年間從事電子束蒸發、磁控濺射等多種真空發光薄膜沉積和平板顯示件技術的研究,曾研製出國內首個640×480 VGA ZnS:Mn薄膜電致發光計算機顯示屏,同時開始研究多孔矽、含矽納米微晶的SiO2和SiNx薄膜、Si/SiO2、Si/SiNx非晶態超晶格等多種矽基納米結構薄膜器件的交流電致發光。
1998年8月-2001年9月年間主要從事III-V族半導體的高真空分子束外延技術以及半導體微腔半導體光折變器件、電光調製器件、雷射器以及稀磁半導體材料的研究工作。
2001年9月至今主要從事矽材料電注入發光照明器件和光子集成的研究工作。
科研成果
實現高效率的矽基發光對於發展集成光電子晶片具有十分重要的意義。從1991年開始從事多孔矽、Si/SiO2超晶格等各種矽納米結構電致發光的研究。近年來研製出高效率的矽基MOS結構電致發光器件,其中紅外、可見光和紫外區的矽MOS電致發光器件的最高量子效率分別達到14%、16%和5%以上,是目前矽材料電致發光器件的世界最好結果,在國際上首次研製出矽材料紫外電致發光器件和紅/藍可變色的電致發光器件。此外提出了利用硼離子注入缺陷工程改變矽的能帶結構,將矽pn結髮光二極體的量子效率提高了三個量級,達到0.15 %。
在德國工作期間由於在矽基發光器件方面的突出成績,榮獲2004年度德國國家級研究機構Rossendorf研究中心的先進科研獎勵。研製出的高效率的矽MOS彩色電致發光顯示器件曾代表德國Rossendorf研究中心多次參加慕尼黑國際工程產品世界專業展等國際高科技展覽會。2004年10月1日國際著名的媒體《Laser Focus World》發表了題為《Silicon UV light emitters are fabricated via CMOS》的文章專題介紹了申請人研製的世界首個SiO2:Gd矽基材料紫外發光器件。2007年5月27日國際著名的《Science Daily》刊登了題為《Switchable Two-color Light Source On A Silicon Chip》的文章,專題介紹了申請人主持研製的由紅到藍可變色的SiO2:Eu發光器件。
目前在國際內外核心期刊發表論文70餘篇,被SCI他引100多次。申請德國專利2項。目前承擔國家自然科學基金、973項目和教育部新世紀人才項目等多項國家課題,教育部留學回國人員基金等多項課題。