基本介紹
- 中文名:威廉·肖克利
- 外文名:William Shockley
- 國籍:美國
- 民族:英格蘭人
- 出生地:英國
- 出生日期:1910年2月13日
- 逝世日期:1989年
- 職業:大學教授
- 畢業院校:麻省理工學院,加州理工學院
- 主要成就:發明電晶體
獲得了90多項發明專利
威廉·肖克利編輯 鎖定 1955年在矽谷創辦肖克利半導體實驗室,擔任主任。在貝爾實驗室期間與人共同發明電晶體,被媒體和科學界稱為“20世紀最重要的發明”。和另兩位...
威廉·肖克利( Shockley,William Bradford),出生地英國倫敦,後遷往美國加州。物理學家。因對半導體的研究和發現了電晶體效應,與巴丁和布拉頓分享了1956年度的諾貝爾...
威廉。肖克利,是矽谷瞭望山肖克利實驗室股份有限公司的創始人。...... 威廉。肖克利,是矽谷瞭望山肖克利實驗室股份有限公司的創始人。中文名 威廉.肖克利 榮譽 矽...
1955年,“電晶體之父”威廉·肖克利,離開貝爾實驗室創建肖克利半導體實驗室。他吸引了很多富有才華的年輕科學家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪異行為引起員工的...
1948年,威廉·肖克利的論文《半導體中的P-N結和P-N結型電晶體的理論》發表于貝爾實驗室內部刊物。PN結製造工藝 PN結是構成各種半導體器件的基礎。製造PN結的方法有...
1956年,電晶體的發明人威廉·肖克利(William Shockley) 在史丹福大學南邊的山景城創立肖克利半導體實驗室。1957年,肖克利決定停止對矽電晶體的研究。當時公司的八位...
沃爾特·布喇頓(WalterBrattain,1902年2月10日-1987年10月13日),美國近代物理學家,生於中國廈門。1956年與威廉·肖克利、約翰·巴丁因電晶體的貢獻,獲得諾貝爾物理...
1955年,“電晶體之父”威廉·肖克利(William Bradford Shockley)離開比爾實驗室,創建肖克利半導體實驗室(Shockley Semiconductor Laboratory)。他吸引了很多富有才華的...
1947年12月16日,美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里,3位科學家--威廉·肖克利(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)和沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地...
1948年,美國科學家約翰·巴丁、威廉·肖克利和瓦爾特·布拉頓根據量子理論發明了電晶體。它用很小的電流和功率就能有效地工作,而且可以將尺寸做得很小,從而迅速取代...
布喇頓是美國貝爾實驗室的物理學家,隨著約翰·巴丁,威廉·肖克利,發明了電晶體。他們分享了1956年諾貝爾物理學獎,他們的發明。他傾注了很多他的生活表面態的研究。....
他在該工廠內遇見了克萊納,他們二人於1956年共同跳槽到電晶體之父、諾貝爾物理學獎得主威廉·肖克利(William Shockley)的實驗室。但是很快,肖克利的專制管理風格引起...
為矽谷的雛形最後形成做出貢獻的另一人物是威廉·肖克利,他曾因發明電晶體而榮獲諾貝爾獎。這位發明家從美國東部招來8位頗有才華的年輕人,他們開創了新時代生產晶體...
1947年12月,貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發 明了點接觸形式的雙極性電晶體。1948年,肖克利發明了採用結型構造的雙極性...
威廉·肖克利 目錄 1 簡介 2 歷史 3 原理 ▪ P型半導體 ▪ 電子與電洞的移動 ▪ 擴散運動 ▪ PN接面的形成 ▪ 平衡狀態 4 製造工藝 ...
1948年,威廉·肖克利的論文《半導體中的PN結和PN結型電晶體的理論》發表于貝爾實驗室內部刊物。肖克利在1950年出版的《半導體中的電子和空穴》中詳盡地討論了結型...
沃爾特·豪澤·布喇頓(Walter Houser Brattain,1902年2月10日-1987年10月13日),美國近代物理學家,生於中國廈門。1956年與威廉·肖克利、約翰·巴丁因電晶體的貢獻...
1947年12月,貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發明了點接觸形式的雙極性電晶體。1948年,肖克利發明了採用接面型構造的雙極性電晶體...
11.威廉·諾里斯:控制數據公司的創始人 12.H·羅斯·培洛特:使世界計算機化 四、使計算機體積更小、效率更高的人們 13.威廉·肖克利:電晶體的發明者之一 14.羅...
william b. shockley(威廉·布拉德福德·肖克利,1910年2月13日-1989年8月12日),是一位出生於英國倫敦的美國物理學家和發明家。他和約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·...
1910年2月13日 電晶體的發明者威廉·肖克利誕生,肖克萊是美國物理學家、電晶體的發明者之一。威廉·肖克利(WilliamShockley)。1910年2月13日出生,1989年去世。...
威廉·肖克利約翰·巴丁李政道楊振寧帕維爾·切倫科夫塔姆伊利亞·弗蘭克埃米利奧·塞格雷歐文·張伯倫唐納德·格拉塞霍夫斯塔特穆斯堡爾列夫·朗道...
1947年,約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓及威廉·肖克利製成了首個基於半導體的電晶體。這項創舉引發了電子工程學的一次革命。 [1] 首個點接觸型電晶體的仿製品(藏於...
肖克利小組與電晶體美國人威廉·肖克利,1910年2月13日生於倫敦,曾在美國麻省理工學院學習量子物理,1936年得到該校博士學位後,進入久負盛名的貝爾實驗室工作.貝爾...
大部分諾獎得主對這份邀請表示蔑視,除了物理獎獲得者威廉·肖克利。這位電晶體的發明者也是一名優生學的追隨者。他甚至鼓吹,黑人的遺傳基因質量差,注定過不幸、貧窮...
雙極性電晶體是電子學歷史上具有革命意義的一項發明,其發明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予1956年的諾貝爾物理學獎。...