《套用於射頻電路的GPSOI新材料研究》是依託華東師範大學，由丁艷芳擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：套用於射頻電路的GPSOI新材料研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：丁艷芳
- 依託單位：華東師範大學
- 負責人職稱：副教授
- 批准號：60606010
- 申請代碼：F0406
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：26萬元
項目摘要
積體電路從微電子發展到微納電子時代，SOI技術以其優於體矽的高性能、全集成、低功耗、低成本的諸多優勢將成為取代現有體矽材料的核心支撐技術。本項目是針對射頻積體電路等的特殊要求，在常規SOI技術的基礎上，探索研究帶有接地WSix埋層的GPSOI新材料，通過WSi2薄膜的製備工藝最佳化及物理機制研究，確定射頻性能優異的絕緣埋層製備方法，提高GPSOI材料較傳統SOI的抗串擾性能，並實現GPSOI上高品質射頻無源器件，表征該新型矽基材料優異的射頻損耗特性。本課題涉及SOI及矽基射頻這兩個國際熱點領域，其研究成果將進一步拓展SOI技術的套用領域，為SOI與矽基射頻技術的有效結合及在射頻積體電路等的特殊套用提供關鍵材料，其研究意義重大，並具有廣闊的套用前景。
