《大直徑、高質量單晶生長條件及最佳化的流體動力學研究》是依託重慶大學，由曾忠擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：大直徑、高質量單晶生長條件及最佳化的流體動力學研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：曾忠
- 依託單位：重慶大學
- 批准號：10302032
- 申請代碼：A0910
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：27（萬元）
中文摘要
Czochralski技術是一種生長半導體、氟化物、氧化物等單晶的主要方法。在其生長晶體的過程中，控制熔融母液的對流和熱輸運是最為關鍵的工藝和藝術。為了生長大直徑、高質量的單晶，一個新的對流控制技術- - 可調節旋轉圓環Czochralski技術被提出。本研究擬對這一極具希望的晶體生長技術建立模型，通過有限體積法（已半自主發展的計算流體動力學程式和擬完全自主開發的穩定性分析程式）求解模型的流體動力學控制方程組和由其導出的穩定性分析控制方程組，對混合的自然對流、強迫對流和Marangoni對流進行數值模擬。我們將研究可調節旋轉圓環插入熔融母液的深度、位置、以及其旋轉方向和速度對結晶生長條件的影響和探索結晶生長的最佳化條件。新被提出的可旋轉圓環Czochralski方法，在晶體材料生長工業中具有重大的潛在套用價值，本研究旨在為該新方法在未來結晶工業中可能的實際套用提供理論研究基礎。
