《微重力環境下浮區法結晶生長中的對流控制》是依託重慶大學，由曾忠擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：微重力環境下浮區法結晶生長中的對流控制
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：曾忠
- 依託單位：重慶大學
- 批准號：10872222
- 申請代碼：A0910
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：38（萬元）
中文摘要
浮區法（Floating zone）無坩鍋容器的接觸污染，是重要的高純度晶體生長技術，空間微重力環境使該技術生長大直徑、高質量的單晶成為可能。晶體生長質量控制的關鍵之一是熔體的對流控制，本項目以最佳化結晶生長條件為中心，擬系統地研究微重力條件下浮區法半導體晶體生長中的磁場對流控制技術。基於文獻中已研究的均勻軸向、橫向靜態磁場以及旋轉磁場對流控制的特點，項目提出研究多種最佳化設計的非均勻靜態磁場以及軸向靜態與旋轉組合磁場的對流控制作用，對其建立模型，通過有限體積法求解模型的磁流體動力學控制方程組，對比研究多種方案的磁場對流控制效果，探索有利於高質量結晶生長的磁場對流最佳化控制技術。空間微重力條件下浮區法的磁場對流控制，在未來高質量晶體材料生長中具有重大的潛在套用價值，本研究旨在為該磁場對流控制及最佳化提供理論研究基礎。
