多源蒸鍍就是在製備由兩種以上元素構成的合金或化合物膜時，將組成元素分別裝入各自的蒸發源中，獨立控制各蒸發源的蒸發速率，使到達基片的原子與所需合金或化合物膜的組成相對應。
由兩種以上元素構成的合金或化合物蒸發時，由於組成元素的固有蒸發速率不同，得到的薄膜成分一般不同於鍍膜材料。這不僅會造成膜層成分的差異，而且隨著蒸鍍時間的延長，在厚度方向膜層的成分也將發生變化，得不到成分均勻的膜層。採用不同的蒸發源同時分別蒸發各組成元素，獨立控制各蒸發源的蒸發速率，使到達基體的原子與所需合金薄膜的組成相對應，則能製成滿足成分要求的薄膜。
基本介紹
- 中文名：多源蒸鍍
- 外文名：multi-components evaporation deposition
- 屬於：真空蒸鍍技術
- 包含：多源共蒸發鍍膜
- 適用：兩種以上元素構成的合金或化合物
- 裝置要求：蒸發源之間要用擋板隔開
簡介,多源蒸鍍裝置,
簡介
多源蒸鍍為製備複雜成分或多層複合薄膜，採用多種源物質的真空蒸鍍技術。多源蒸鍍又分為多源共蒸發鍍膜法和多源順序蒸發鍍膜法兩類。多源共蒸發鍍膜法是將多種源物質同時按不同的速率蒸發，在氣相中混合併在襯底上沉積得到預期成分薄膜的塗層技術。多源順序蒸發鍍膜法是將各種源物質按不同的先後順序依次蒸發沉積，在襯底上得到多層複合蒲膜的塗層技術。
多源蒸鍍裝置
合金或化合物蒸鍍時，由於組元的固有蒸發速率不同，得到的膜成分往往與蒸鍍材料不同，而且隨著蒸鍍時間的延長，在厚度方向膜層的成分也將發生變化，得不到成分均勻的膜層。多源蒸鍍就是在製備由兩種以上元素構成的合金或化合物膜時，將組成元素分別裝人各自的蒸發源中，獨立控制各蒸發源的蒸發速率，使到達基片的原子與所需合金或化合物膜的組成相對應，則能製得滿足成分要求的薄膜。下圖為雙源蒸鍍的示意圖。
雙源蒸鍍的示意圖裝置的關鍵是每個蒸發源的蒸發速率都必須進行獨立的控制和指示，而且各蒸發源之間要用擋板隔開，避免相互污染，並使蒸發源到基片間的距離足夠大，以保證被鍍表面各處組分相同。
