《場效應和雙極型功率電晶體物理》是1988年科學出版社出版的圖書，作者是布利舍(Blicher， A.)。
《場效應和雙極型功率電晶體物理》是1988年科學出版社出版的圖書，作者是布利舍(Blicher， A.)。內容簡介本書系統闡述了各類功率電晶體的理論、結構、特性、設計和製造技術。1圖書目錄目錄前言符號表第一章 半導體表面...
在微波波段工作的電晶體。微波波段指頻率在 300兆赫～300吉赫的電磁波譜。按功能分類，微波電晶體包括微波低噪聲電晶體和微波大功率電晶體。按結構分類，微波電晶體可分為雙極型電晶體和場效應電晶體。簡介 由於工作頻率高，微波電晶體必須具有微米或亞微米的精細幾何尺寸。隨著薄層外延技術、淺結擴散或離子注入技術、...
場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。特點 與雙極型電晶體相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過V(柵源電壓)來控制I（...
功率MOSFET場效應管從驅動模式上看，屬於電壓型驅動控制元件，驅動電路的設計比較簡單，所需驅動功率很小。採用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關，在啟動或穩態工作條件下，功率MOSFET場效應管的峰值電流要比採用雙極型功率電晶體小得多。功率場效應管與雙極型功率電晶體之間的特性比較如下：1. 驅動方式：場效應...
功率MOSFET屬於電壓型控制器件。它依靠多數載流子工作,因而具有許多優點:能與積體電路直接相連；開關頻率可在數兆赫以上（可達100MHz），比雙極型功率電晶體(GTR)至少高10倍；導通電阻具有正溫度係數,器件不易發生二次擊穿,易於並聯工作。與GTR相比，功率MOSFET的導通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時...
為便於讀者自學和參考，本書首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然後重點論述了PN結、雙極型電晶體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關係；最後簡要講述了功率MOSFET、IGBT和光電器件等其他常用半導體器件的原理及套用。目錄 第...
場效應[晶體]管 場效應[晶體]管（field-effect transistor）是2019年公布的物理學名詞，出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
1950年，第一隻“PN結型電晶體”問世了，它的性能與肖克萊原來構想的完全一致(所謂PN結就是P型和N型的結合處。P型多空穴。N型多電子。)1956年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發明電晶體同時榮獲諾貝爾物理學獎。2022年，清華大學積體電路學院教授任天令團隊以單層石墨烯作為柵極，打造出一種“側壁”電晶體，創下了...
指能使用控制信號控制其導通和關斷的器件，包括功率三極體（GTR）、功率場效應管（功率MOSFET）、可關斷晶閘管（GTO）、絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、MOS控制晶閘管（MCT）、靜電感應電晶體（SIT）、靜電感應晶閘管（SITH）和集成門極換流晶閘管（IGCT）等。全可控器件從控制形式上還可以分為電流控制型和電壓控制型兩大類...
場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.特點 具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者.作...
《電晶體原理》是2016年國防工業出版社出版的圖書，作者是郭澎、張福海、劉永。。內容簡介 本書主要講述雙極型電晶體和場效應電晶體的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開關特性，並描述這些特性的相關參數。講述了新型半導體器件包括最新發明的石墨烯場效應電晶體和常溫單電子電晶體的結構和特性。為適應計算機輔助設計...
絕緣柵雙極電晶體（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力電晶體（Giant Transistor—GTR）和電力場效應電晶體（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，套用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結構雙極器件，屬於具有功率MOSFET的高速性能與雙極的...
用作有機場效應電晶體的有機半導體材料不但應具有穩定的電化學特性，還應是具有兀鍵的共扼體系，兀鍵重疊的軸向應該儘量與源漏電極之間的最短距離方向一致，從而有利於載流子的傳輸。這不僅限制了大多數有機材料，而且要求控制薄膜製備條件，使晶體的生長和取向達到最佳的形貌。按不同的化學和物理性質有機半導體材料...
(2)結型場效應電晶體的豫、漏極可以互換使用。(3)絕緣柵型場效應電晶體．在柵極開路時極易受周圍磁場作用，會產生瞬問高電壓使柵極擊穿。故在存放時，應將三個引腳短路，防止靜電感應電荷擊穿絕緣柵。(4)工作點的選擇，應不得超過額定漏源電壓、柵源電壓、耗散功率及最大電流所允許的數值。(5)測試絕緣柵場...
本項目首先對有機場效應電晶體（OFET）中金屬電極/有機半導體、有機半導體/絕緣層兩個界面進行系統的研究，揭示出不同材料間能級匹配、界面偶極以及陷阱態對於器件中電荷運動過程的影響。然後採用雙層複合電極、有機緩衝層以及分子自組織修飾等化學和物理的方法對器件的界面進行系統的調控，構建出雙極型OFET。通過了研究...
電力場效應電晶體(PowerMOSFET)是用柵極電壓來控制漏極電流。場效應電晶體分為兩種類型，結型和絕緣柵型，但通常所說的是絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET）。P-MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流，它的顯著特點是驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高...
絕緣柵場效應功率電晶體是一種三極體，具有功率放大作用，常用於電壓控制。絕緣柵場效應功率電晶體 根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓控制型器件。絕緣柵場效應功率電晶體場效應管可套用於放大.由於場...
本書可作為工科大學半導體物理與器件專業的研究生和高年級大學生的教學參考書，也可供從事電晶體和積體電路研究的科技工作者閱讀參考。圖書目錄 目錄 前言 主要符號表 緒論 第一篇 結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體（JFET與MESFET）第二篇 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（MOSFET）第三篇 特種場效應晶體...
利用場效應電晶體的基本放大電路有三種，分別是共源、共漏、共柵放大電路。(1)共源放大電路：是用得最廣泛的一種電路，其中場效應電晶體是N溝道增強型MOS管。該電路有較大的電壓增益、較大的輸入電阻，但由密勒效應引起的輸入電容太大，影響高頻回響，常用作電壓放大。(2)共漏放大電路：又名源極跟隨器，也是用...
單極型管 單極型管的單極放大電路，用場效應管作為放大器件組成的放大電路，稱為場效應管放大電路。場效應管和雙極型電晶體一樣是電路的核心器件，在電路中起以小控大的作用。在場效應管的放大電路中，為實現電路對信號的放大作用，必須要建立偏置電路以提供合適的偏置電壓，使場效應管工作在特性的恆流區。自給偏壓...
