基本介紹
- 中文名:堆垛層
- 外文名:stacking layers
- 性質:地層單元
- 類別:地殼層次
堆垛層錯是晶體結構晶格中常見的一種面缺陷,即晶體結構層正常的周期性重複堆垛順序在某二層間出現了錯誤。...
在地殼較深構造層次中,在收縮擠壓體制下,先存的成層岩系在韌性流層內發生近水平剪下流變和韌性推覆,並在遞進變形過程中,經強烈縱向構造置換而形成的一套雜序的...
堆垛層錯就是指正常堆垛順序中引入不正常順序堆垛的原子面而產生的一類面缺陷,是晶體中的一類巨觀缺陷。主要出現在用外延方法生長的晶體中。...
界面兩側晶體以一特徵的非點陣平移相聯繫者稱平移界面,包括堆垛層錯、反相疇界和結晶切變面等面缺陷。堆垛層錯常見於密堆積結構及層狀結構的晶體中(圖1),是晶體...
相當於堆垛層錯,接著就按倒過來的順序堆垛,仍屬正常的fcc堆垛順序,但與出現層錯之前的那部分晶體順序正好相反,故形成了對稱關係。...
界面兩側晶體以一特徵的非點陣平移相聯繫者稱平移界面,包括堆垛層錯、反相疇界和結晶切變面等面缺陷。堆垛層錯常見於密堆積結構及層狀結構的晶體中,是晶體的密排...
一種層錯現象。...... 抽出型層錯面缺陷 面缺陷為晶體內偏離周期性點陣結構的二維缺陷,主要有小角晶界、堆垛層錯、晶粒問界、相界等。...
長期以來就有間接的證據說明α黃鋼產生孿晶變形,從黃銅屑的粉末標本得到的x光銜射數據,人們推導出堆垛層錨和孿晶濃度值。人們發現,溫度為4K時進行變形的銅晶體,在...
層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上,當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後,經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯,稱之為OISF。因為每個層錯都...
主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種界面,如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。其中的堆垛層錯是指沿晶格內某一平面,質點發生錯誤堆垛的現象。如一...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種...
具有相同的化學成分和結構組元層的一種物質,能夠形成兩種或多種在結構組元層的堆垛順序上有所不同的層狀結構晶體的現象。...