《基於IC工藝的集成RF薄膜變壓器研究》是依託杭州電子科技大學，由秦會斌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於IC工藝的集成RF薄膜變壓器研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：秦會斌
- 依託單位：杭州電子科技大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60671024
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：F0119
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
針對電感和信號變壓器難以集成的技術難點，通過對基於IC工藝的、帶磁性夾層的高頻薄膜變壓器的研製，帶動薄膜變壓器的理論、設計和集成化製備技術的發展，掌握射頻波段薄膜變換器特性傳輸特性的測試技術，研製出射頻薄膜變換器樣品。.本項研究著重解決半導體工藝與微波鐵磁薄膜工藝的兼容性工藝問題，解決磁性器件不能集成化的難題。在測試技術上，解決200MHz～3GHz頻帶上薄膜變壓器傳輸性能的測試方法和技術。在樣品研製方面，所研製的在200 MHz～500MHz頻帶範圍下工作的薄膜變壓器，其信號傳輸係數≥0.80；所研製的在500MHz～3GHz頻帶範圍下工作的薄膜變壓器，其信號傳輸係數≥0.60。.通過本項目的研究實現薄膜電感器和信號變壓器的平面化和集成化，使該類器件實現小型化、輕量化、一致性好、高穩定性和高可靠性，同時推動RF SOC技術的發展。
