基於CMOS技術的瓦級60GHz毫米波功率源關鍵技術研究

基於CMOS技術的瓦級60GHz毫米波功率源關鍵技術研究

《基於CMOS技術的瓦級60GHz毫米波功率源關鍵技術研究》是依託浙江大學,由周金芳擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:基於CMOS技術的瓦級60GHz毫米波功率源關鍵技術研究
  • 依託單位:浙江大學
  • 項目負責人:周金芳
  • 項目類別:面上項目
  • 研究期限:2011-01-01 至 2011-12-31
  • 批准號:61071064
  • 支持經費:10(萬元)
  • 申請代碼:F0119
  • 負責人職稱:副教授
項目摘要
本課題研究一種基於CMOS技術在60GHz得到近瓦級功率輸出的新型毫米波功率源。該毫米波功率源由環形駐波振盪器陣列、差分功率放大器陣列,以及一種所謂的TE101-λ/4功率合成結構構成。從環形駐波振盪器陣列輸出多路同頻、同相、等幅的差分信號。該差分信號經由各差分功率放大器放大。放大器的諧振迴路採用λ/4諧振器結構,並將這種諧振器從晶片轉移到封裝結構中,大大提高了品質因數。所有放大器輸出通過TE101-λ/4功率合成結構耦合到基片集成波導諧振器,實現功率合成。TE101-λ/4功率合成結構是將工作於TE101模(借用矩形波導模式概念)的基片集成波導諧振器與多個λ/4諧振器耦合的裝置。..該功率源結構新穎,可將以矩陣形式分布於晶片上的幾個、十幾個,甚至數十個差分功率放大器的輸出功率有效地合成。如果單個放大器輸出達到100mW,十個放大器的合成即可實現近瓦級功率輸出。

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