《基於AAO模板噴滴法製備PZT鐵電納米點陣列的研究》是依託浙江大學，由翁文劍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於AAO模板噴滴法製備PZT鐵電納米點陣列的研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：翁文劍
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50572093
- 申請代碼：E0206
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
本申請依據PZT納米點陣列在鐵電存儲器中的重要性，採用完全不同於常規AAO模板的運用方式，有機地結合溶膠－凝膠法特點，原創性地提出基於AAO模板噴滴法製備納米點陣列，即在一定壓力下讓溶膠穿過AAO模板孔，滴在基板上，首先形成凝膠點以保持納米點的尺度和陣列形狀，再經熱處理，最終形成與AAO模板孔結構相對應的、點尺度為幾十納米的PZT納米點陣列。. 研究內容為：（1）PZT溶膠成膠特性與噴滴技術過程的相協調性的研究；（2）矽基板上形成PZT納米點陣列規律和表征的研究；（3）PZT納米點陣列鐵電性能測量的研究。. 通過對上述的研究，探索出基於AAO模板噴滴法形成PZT納米點陣列基本規律，探明PZT納米點陣列參數（顆粒大小和結晶度）與製備條件的關係，為最終獲得高儲存密度FeRAM器件提供必要的前期工作基礎。同時該製備技術還具有在不同基板上形成不同材料體系的納米點陣列。
