《基於半導體納米管線的自旋電子學理論研究和器件設計》是依託清華大學，由段文暉擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於半導體納米管線的自旋電子學理論研究和器件設計
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：段文暉
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10674077
- 申請代碼：A20
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
半導體納米管線呈現出許多嶄新的量子特性，具有深遠的基礎理論意義和廣闊的套用背景。利用從量子力學基本原理出發的第一原理計算方法，結合凝聚態物理模型和理論分析手段，研究一維半導體納米體系中，本徵存在的s、p和d電子態對系統自旋極化的貢獻；闡明微觀結構的穩定性、電荷分布、界面效應、尺寸效應、摻雜效應、多管效應以及外界條件的影響和效果。以電子態計算為基礎，研究接觸電極的組成、結構和形貌，外加電、磁和力場，摻雜原子態、吸附態和缺陷態在不同半導體納米管線自旋電子的極化、輸運和激發過程的作用，進而探討陣列中多管禁止效應和耦合效應對電子自旋的影響，建立更加有效和普適的處理納米體系電子自旋問題的模型和計算方法，補充和完善一維半導體納米體系自旋電子學理論，並以此評估利用半導體納米管線製備新型納米自旋電子器件的可能性和模擬性能，以期在納米自旋電子器件的製備加工、工作原理及構建理論等方面取得突破。
