《自旋-軌道耦合半導體中自旋極化和輸運的理論研究》是依託復旦大學，由楊中芹擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：自旋-軌道耦合半導體中自旋極化和輸運的理論研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊中芹
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10674027
- 申請代碼：A2003
- 研究期限：2007-01-01至2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
最近人們在半導體實驗中觀察到自旋Hall效應，證實了電子的自旋和軌道(S-O)運動間的明顯耦合。通過自旋和軌道間的耦合作用，人們有可能實現僅使用電場來調控電子的自旋取向和電流的極化。這為新興的自旋電子學提供一個新方向，成為當今凝聚態物理的一個研究熱點。本課題擬從理論上研究自旋-軌道耦合半導體中自旋極化和自旋輸運等性質。由於未來的實際器件一般都具有邊界和電極，且希望在納米尺度的彈道區工作，因此本課題的重點是研究處於彈道區的有邊界和電極影響的S-O耦合體系。發展處理這樣體系的新理論方法,研究自旋堆積效應、非均勻S-O耦合對自旋極化的影響及多端器件中的電荷、自旋輸運等問題。試圖將所建立的理論方法推廣至可處理具有電極和邊界效應的自旋3/2的S-O耦合體系。研究S-O耦合對分數量子Hall效應的可能影響。同時，擬探索器件輸出端間自旋量子糾纏和操控及用S-O耦合的器件實現量子普適門的可能性。
