基座法

基座法是既像區熔法又像直拉法的一種拉制單晶方法。用卡具將多晶棒下端卡住，高頻線圈在多晶矽棒上端產生熔區，由上方插入籽晶，將籽晶慢慢向上提起，生長出單晶。

基座法製備的單晶純度高，生長速度快，污染小，能較好地控制電阻率。但此法工藝不成熟，很難生產大直徑矽單晶。

基本介紹

• 中文名：基座法
• 外文名：pedestal  pulling  method
• 適用：表面張力較大的矽單晶生長
• 優點：單晶純度高，生長速度快
• 缺點：工藝不成熟，難生產大直徑矽單晶
• 學科：電子技術

簡介

基座法（pedestal pulling method）用於表面張力較大的矽單晶生長，可視為是直拉法和懸浮區熔法的混合技術，兼有直拉法和懸浮區熔法的優點。

工藝流程

如下圖所示，以一個較粗的圓形多晶棒作為基座，用高頻感應加熱或電子束加熱的方法使其頂端熔化，形成一個“矽池”，拉晶在“矽池”中進行，在拉出單晶的同時，基座被消耗，如此形成一個連續的無坩堝工藝。

基座法

由於基座法不用石英坩堝，避免了氧的引入，又由於採用高頻感應加熱或電子束加熱，不使用石墨部件，避免了碳的沾污，並且單晶生長時連續地消耗基座，因而能提高晶體軸向電阻率的均勻性，並可以採用偏心技術來提高徑向電阻率的均勻性。

套用

基座法可以成功地製備低氧、低碳、無位錯、無空位團、電阻率分布均勻的矽單晶。