圖形畸變

圖形畸變是由臨近效應引起的，這是由於散射電子傾向於將臨近的不準備曝光的區域曝光，這種效應在套用電子束曝光中要比用光學曝光嚴重得多。

基本介紹

• 中文名：圖形畸變
• 釋義：臨近效應引起的區域曝光

我們將散射類型分為前向散射和背向散射。前向散射發生在相對入射速度方向的一個小的角度範圍內，並將導致圖形輕微展寬，除非使用更高能量的電子或非常薄的光刻膠，否則前向散射會限制圖形的解析度。背向散射造成大面積曝光模糊。為了降低這個這個展寬效應，大多數高解析度的EBL是利用薄的光刻膠來實現的。然後圖形被轉移到較厚的掩模層上，它可被用來獲得預期的圖形。針對給定的光刻膠，將入射電子束能量最佳化。

圖形畸變在膜片掩模版中是一個嚴重的問題。除了與掩模版的電子束只寫有關的位置錯誤外，嚴重的圖形畸變可能來自於於系統中的掩模版夾緊不均勻。畸變的其他來源包括應力變化，或掩模版材料不同的熱膨脹。由於掩模版上面各種不同層的增加，掩模空白基板上的應力可能改變。在曝光和形成圖形之後，掩模版可能鬆弛，返回到它原來的狀況。在曝光時，薄膜、吸收體和光刻膠中熱膨脹不同，也能引起局部畸變。