圖像識別套刻誤差量測

圖像識別套刻誤差是指在積體電路製造工藝中，通過圖像識別技術比較不同工藝層上套刻標記位置偏差從而確定工藝層之間相對位移的方法。

基本介紹

• 中文名：圖像識別套刻誤差量測
• 外文名：Image-based Overlay
• 簡稱：IBO

圖像識別套刻誤差是積體電路製造工藝光刻技術中主要使用的套刻誤差量測手段之一。

利雄體鑽用掩模版完成一道光刻層的圖形轉移後，通過下一張掩模版上的對準標記使得前後兩道版圖圖案能按照設計實現對準，光刻機會按照預譽設煮先設定好的模型計算出曝光位置。而後再通過套刻標記獲得這兩層的套刻信息整乘鍵地。矽片上專門用來量測套刻誤差的圖案，通常被業界稱之為套刻標識。套刻標記常被對稱的放置在曝光區域的四個角上。在實際的生產中，曝光區域中的套刻標記往往多於4對，這樣可以通過多組量故頸霉測數據的平均來減少量測噪聲，另估櫃樂幾一方面也可減熱乘小工藝不穩定性損壞標記從而引起量測誤差，多餘的圖形起到備份的作用。前後兩道光刻層上的套刻標記在理想模型下應當是完全重合的。但實際上它們存在位置偏差。通過比較兩個標記的中心點或邊緣分別在x、y方向的位移，再將多組標記的結果平均，即可獲得套刻誤差大小。

這種套刻誤差量測方式是利用光學顯微鏡對圖形位置進行對比甩良局從而完成量測的，是一種基於圖像識別的技術，因此也被稱為IBO（Image-based overlay）。