基本介紹
- 中文名：國家存儲器基地
- 項目地：武漢東湖高新區正式開工
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項目開工
2017年1月1日，總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工。
建設方
“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯合國家積體電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以晶片製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，建成後，還將帶動設計、封裝、製造、套用等晶片產業相關環節的發展。
項目內容
“國家存儲器基地”項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計畫2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
意義
晶片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業，半導體積體電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是積體電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標誌著晶片國產化之路邁出可靠而重要的一步。
