《單晶絕緣薄膜中自旋相關隧穿機制實驗研究》是依託復旦大學，由吳義政擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：單晶絕緣薄膜中自旋相關隧穿機制實驗研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：吳義政
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10604015
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：A2003
- 支持經費：35（萬元）
項目摘要
鐵磁/非磁/鐵磁三層膜結構中的自旋相關輸運是目前自旋電子學器件研究的基礎。理論和實驗都指出了在鐵磁/絕緣體/鐵磁隧道結中單晶結構的重要，可以使磁電阻有很大的提高，因此對單晶絕緣體薄膜中自旋相關隧穿機制進行進一步的研究，對於自旋電子學器件的研製和發展有重要的科學意義和實際套用價值。我們將利用分子束外延技術製備單晶結構的鐵磁/絕緣體/鐵磁隧道結，利用表面分析技術和同步輻射技術等原位分析研究絕緣體薄膜的生長和結構以及它對襯底磁性層的磁性和電子結構的影響。我們將利用台階表面和原子摻雜的方法研究絕緣體薄膜的表面缺陷和內部雜質和磁電阻效應的關聯，同時研究磁電阻效應和納米薄膜中的量子阱態的關聯，並驗證單晶絕緣體薄膜中是否存在自旋相干隧穿現象，從而發現提高和控制隧穿磁電阻效應的機制，並進一步理解相關體系中的自旋輸運的內在機制。
