同步突發靜態隨機存儲器(burst SRAM,SynchBurst SRAM)是用作奔騰微處理器晶片組的外部L1和L2存儲。
同步突發靜態隨機存儲器(burst SRAM,SynchBurst SRAM)是用作奔騰微處理器晶片組的外部L1和L2存儲。
同步突發靜態隨機存儲器(burst SRAM,SynchBurst SRAM)是用作奔騰微處理器晶片組的外部L1和L2存儲。同步突發靜態隨機存儲器(burst SRAM,SynchBurst SRAM)是用作奔騰微處理器晶片組的外部L1和L2存儲。同步突發靜態隨機存儲器與系統時鐘...
靜態隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器(DRAM)裡面所儲存的數據就需要周期性地更新...
靜態隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器(DRAM)裡面所儲存的數據就需要周期性地更新...
12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆發式靜態隨機存取存儲器)一般的SRAM是非同步的,為了適應CPU越來越快的速度,需要使它的工作時脈變得與系統同步,這就是SB SRAM產生的原因。13.PB SRAM(Pipeline Burst SRAM,管線爆發式...
根據存儲單元的工作原理不同, RAM分為靜態RAM和動態RAM。靜態隨機存儲器(SRAM)靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此,它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留,狀態...
輸出級電路一般採用三態輸出或集電極開路輸出結構,以便擴展存儲容量,如果是集電極開路輸出(即 OC輸出),則應外接負載電阻。隨機存儲用途 SRAM:靜態隨機存取存儲器採取多重電晶體設計,通常每個存儲單元使用4-6隻電晶體,但沒有電容器。
動態RAM的總體結構和工作原理與靜態RAM(見隨機存儲器)的區別是,存儲矩陣採用了動態存儲單元。靜態觸發器是靠電路狀態的反饋自鎖保存數據,動態存儲單元則是通過在電容上存儲電荷保存數據。動態存儲單元的電路結構有各種型式,最簡單的一種是...
動態隨機儲存器 一般計算機系統使用的隨機存取記憶體(RAM)可分動態與靜態隨機存取記憶體(SRAM)兩種,差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維繫數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過程,在上電期間,數據不會丟失。
Sync SRAM Sync SRAM-同步靜態隨機存儲器,其工作時鐘與系統同步,Intel推出的430LX,430NX,430FX等支持奔騰的主機板晶片組都支持它。但CPU速度大大提升後,該高速快取被PB-SRAM取代。
第3章存儲器 3.1存儲器概述 3.1.1 存儲系統的分層結構 3.1.2 半導體存儲器分類 3.1.3 高速緩衝存儲器Cache 3.1.4虛擬存儲器 3.2 靜態隨機存取存儲器SRAM 3.2.1 SRAM結構 3.2.2 同步突發靜態隨機存取,存儲器SB SRAM ...