《可靠性物理》是2015年電子工業出版社出版的圖書，作者是恩雲飛、謝少鋒、何小琦。
基本介紹
- 中文名： 可靠性物理
- 作者：恩雲飛、謝少鋒、何小琦
- 出版時間：2015年
- 出版社： 電子工業出版社
- 頁數：444 頁
- ISBN： 9787121272325
- 定價：88 元
- 開本：16 開
內容簡介,圖書目錄,作者簡介,
內容簡介
本選題全面闡述了電子元器件可靠性物理的基本概念和元器件失效機理。全書共14章，前3章介紹可靠性物理基本理論、電子材料和應力、典型失效物理模型，後八章分別論述了微電子器件、光電子器件、高密度積體電路等11類典型元器件的工藝結構、失效機理及數理模型。
圖書目錄
第1章 可靠性物理的基本概念
1.1 可靠性物理的含義
1.2 失效及失效類型
1.3 可靠性物理及其發展
1.4 影響可靠性的關鍵因素
1.4.1 電子材料
1.4.2 應力與環境
1.5 可靠性物理研究的內容及意義
參考文獻
第2章 失效物理模型
2.1 界面模型
2.2 耐久模型
2.3 應力-強度模型
2.4 基於反應速度論的模型
2.5 最弱環模型
2.6 並聯模型
2.7 累積損傷模型
2.8 競爭失效模型
參考文獻
主要符號表
第3章 微電子器件失效機理及數理模型
3.1 工藝結構和工作原理
3.1.1 二極體的工藝結構和工作原理
3.1.2 三極體的工藝結構和工作原理
3.1.3 功率MOSFET的工藝結構和工作原理
3.1.4 積體電路的工藝結構和工作原理
3.2 主要失效模式
3.2.1 失效模式的定義
3.2.2 主要失效模式
3.3 失效機理及數理模型
3.3.1 與晶片有關的失效機理
3.3.2 與封裝有關的失效機理
3.3.3 與套用有關的失效機理
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第4章 微波器件失效機理及數理模型
4.1 矽微波器件失效機理及數理模型
4.1.1 矽微波功率電晶體的工藝結構和工作原理
4.1.2 矽微波器件的主要失效模式
4.1.3 矽微波功率管的失效機理及數理模型
4.2 GaAs微波器件失效機理及數理模型
4.2.1 GaAs器件的工藝結構和工作原理
4.2.2 GaAs器件及MMIC的主要失效模式
4.2.3 GaAs器件及MMIC的失效機理及數理模型
4.3 GaN微波器件失效機理及數理模型
4.3.1 GaN器件的工藝結構和工作原理
4.3.2 GaN器件的主要失效模式
4.3.3 GaN器件的失效機理及數量模型
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第5章 光電子器件失效機理及數理模型
5.1 半導體雷射器的失效機理及數理模型
5.1.1 工藝結構和工作原理
5.1.2 半導體雷射器主要失效模式
5.1.3 半導體雷射器的失效機理及數理模型
5.2 發光二極體的失效機理及數理模型
5.2.1 發光二極體器件結構及工藝
5.2.2 發光二極體主要失效模式
5.2.3 發光二極體的失效機理及數理模型
5.3 紅外焦平面探測器的失效機理及數理模型
5.3.1 器件結構及工藝
5.3.2 主要失效模式
5.3.3 失效機理及數理模型
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第6章 高密度封裝電路失效機理及數理模型
6.1 高密度封裝電路結構
6.1.1 HIC分類及封裝結構
6.1.2 MCM分類及封裝結構
6.1.3 SiP組件分類及封裝結構
6.2 主要失效模式
6.2.1 導致電路失效的應力
6.2.2 HIC失效模式
6.2.3 MCM失效模式
6.2.4 SiP失效模式
6.3 失效機理及數理模型
6.3.1 雙金屬鍵合界面退化
6.3.2 晶片焊接退化失效
6.3.3 晶片破裂
6.3.4 晶片過熱損傷
6.3.5 導電膠粘接老化失效
6.3.6 金屬布線腐蝕失效
6.3.7 薄膜多層互連退化
6.3.8 TSV互連開路短路
6.3.9 疊層裸晶片破裂
6.3.10 晶片倒裝焊（FC）互連凸點退化
6.3.11 PoP封裝翹曲及焊點疲勞
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第7章 真空電子器件失效機理及數理模型
7.1 行波管失效機理及數理模型
7.1.1 行波管工藝結構和工作原理
7.1.2 行波管主要失效模式及失效原因
7.1.3 失效機理及數理模型
7.2 速調管失效模式和失效機理
7.2.1 速調管工藝結構和工作原理
7.2.2 速調管主要失效模式
7.2.3 速調管主要失效機理和失效原因
參考文獻
主要符號表
第8章 MEMS失效機理及數理模型
8.1 MEMS結構特點及其工作原理
8.1.1 MEMS的概念及範圍
8.1.2 MEMS結構分類
8.1.3 MEMS工藝特點
8.2 主要失效模式和失效機制
8.3 失效機理及數理模型
8.3.1 粘連
8.3.2 斷裂
8.3.3 材料疲勞
8.3.4 蠕變
8.3.5 磨損
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第9章 電阻器失效機理及數理模型
9.1 工藝結構和工作原理
9.1.1 薄膜電阻器的工藝結構和工作原理【3】
9.1.2 厚膜電阻器的工藝結構和原理
9.1.3 電位器的工藝結構和工作原理【3】
9.2 電阻器的主要失效模式
9.3 電阻器的失效機理及數理模型
9.3.1 金屬膜電阻器的失效機理及數理模型
9.3.2 碳膜電阻器的失效機理及數理模型【6】.
9.3.3 厚膜電阻器的失效機理及數理模型
9.3.4 電位器的主要失效機理及數理模型
參考文獻
第10章 電容器失效機理及數理模型
10.1 電容器的工作原理和工藝結構
10.1.1 鋁電解電容器的工藝及結構特點
10.1.2 鉭電解電容器的工藝及結構特點
10.1.3 陶瓷電容器的工藝及結構特點
10.2 電容器的主要失效模式
10.3 電容器的失效機理及數理模型
10.3.1 鋁電解電容器的失效機理及數理模型【5】
10.3.2 鉭電解電容器的失效機理及數理模型【6】
10.3.3 陶瓷電容器的失效機理及數理模型
參考文獻
第11章 繼電器、接外掛程式失效機理及數理模型
11.1 工藝結構和工作原理
11.1.1 繼電器結構和工作原理
11.1.2 接外掛程式結構和工作原理
11.2 主要失效模式【2】
11.2.1 繼電器失效
11.2.2 接外掛程式失效
11.3 失效機理及數理模型【2】
11.3.1 接觸不良及電阻特性
11.3.2 接點粘接失效
11.3.3 接點的電腐蝕
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
第12章 磁性元件失效機理及數理模型
12.1 工藝結構和工作原理
12.1.1 鐵氧體軟磁材料
12.1.2 永磁材料
12.2 主要失效模式
12.2.1 燒毀
12.2.2 磁飽和
12.2.3 失磁
12.3 失效機理及數理模型
12.3.1 損耗
12.3.2 過熱
12.3.3 勵磁涌流
12.3.4 退磁
參考文獻
主要符號表
第13章 PCBA失效機理及數理模型
13.1 工藝結構和工作原理
13.1.1 通孔插裝技術
13.1.2 表面組裝技術
13.2 主要失效模式
13.2.1 焊點開路
13.2.2 焊點問短路
13.2.3 PcB內部短路
13.2.4 PCB鍍覆孔開路
13.2.5 PCB爆板
13.2.6 焊點表面裂紋
13.2.7 焊點脫落
13.2.8 枕頭效應
13.2.9 立碑
13.2.10 腐蝕短路
13.3 失效機理和數理模型
13.3.1 焊點蠕變
13.3.2 低周熱疲勞
13.3.3 高周振動疲勞
13.3.4 焊料電遷移
13.3.5 Kirkendall空洞
13.3.6 板面枝晶生長
13.3.7 導電陽極絲
13.3.8 ENIG黑焊盤
13.3.9 錫須
13.3.10 金脆
13.3.11 爬行腐蝕
參考文獻
英文縮略詞及術語
主要符號表
作者簡介
恩雲飛，工業和信息化部電子第五研究所研究員，中國電子學會可靠性分會委員，中國電子學會真空電子分會委員，中國電子學會第八屆理事會青年與志願者工作委員會委員，廣東省電子學會理事，《失效分析與預防》編委會委員，長期從事電子元器件可靠性工作，在電子元器件可靠性物理、評價及試驗方法等方面取得顯著研究成果，先後獲省部級科技獎勵10項，發表學術論文40餘篇，申請及授權國家發明專利10餘項。
