可以通過門極信號來控制其開通和關斷的電力電子器件。
——引自DL/T 1193-2012《柔性輸電術語》
基本介紹
- 中文名：可關斷器件
- 外文名：self turn-off semiconductor component
fully controllable device - 所屬學科：電力系統
- 別名：全控器件
可以通過門極信號來控制其開通和關斷的電力電子器件。
——引自DL/T 1193-2012《柔性輸電術語》
可以通過門極信號來控制其開通和關斷的電力電子器件。1——引自DL/T 1193-2012《柔性輸電術語》...
可關斷晶閘管(GTO)又稱門極可關斷晶閘管或門控晶閘管，是晶閘管的一種派生器件。它的主要特點是門極加正脈衝信號觸發管子導通，門極加負脈衝信號觸發管子關斷，因而屬於全控型器件。可關斷晶閘管既保留了普通單向晶閘管耐壓高、電流大的特性，又具備了自關斷能力，且關斷時間短，不需要複雜的換向電路，工作頻率高，使用...
全控型器件又稱為自關斷器件，是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多，門極可關斷晶閘管，電力場效應電晶體，絕緣柵雙極電晶體均屬於此類。與之對應的有半控型器件，即通過控制信號過可以控制其導通而不能控制其關斷的電力電子器件。這類器件主要是晶閘管（Thyristor）及其大...
可關斷可控矽也屬於PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通可控矽相同，大功率GTO大都製成模組形式。儘管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由於普通可控矽在導通之後即外於深度飽和狀態，而GTO在導通後只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要...
GTO（Gate-Turn-Off Thyristor）是門極可關斷晶閘管的簡稱，他是晶閘管的一個衍生器件。但可以通過門極施加負的脈衝電流使其關斷，他是全控型器件。GTO的結構 GTO和普通晶閘管一樣，是PNPN四層半導體結構，外部也是引出陽極．陰極和門極。但和普通晶閘管不同的是，GTO是一種多元的功率集成器件。雖然外部同樣引出三個...
可關斷閥 可關斷閥（switchable valve）是2020年公布的電力名詞，出自《電力名詞》第三版。定義 具有可控關斷能力的換流閥。作為電壓源相單元中的功能單元,在控制信號的作用下,可關斷閥具有開通和關斷功能。出處 《電力名詞》第三版。
各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極體是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關斷，稱半控型器件。可關斷晶閘管、功率電晶體等器件，其門極信號...
正常關斷器件 正常關斷器件（normally off device）是1993年發布的電子學名詞。公布時間 1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
一種新型彈簧快速關斷閥 快速關斷閥（快關閥）是電廠汽輪機組安全系統的重要組成部分，是保證汽輪機組安全運行、防止管道蒸汽倒流引起汽輪機超速事故的重要安全器件。抽汽機組為了防止抽汽倒流引起超速採用的安全措施是在抽汽管道上安裝逆止閥，但是當前套用的抽汽逆止閥存在事故關閉時回響慢、不嚴密、無法有效防止抽...
可控矽開關可控矽又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，故稱可控矽，它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。分類 按關斷、導通及控制方式分類 可控矽按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽、門極關斷可控矽（...
SCR是Silicon Controlled Rectifier的縮寫，是可控矽整流器的簡稱。包裝清單 可控矽有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被廣泛用於可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控矽 單向可控矽是一種可控整流電子元件，...
（2）半導體器件關斷後仍可有數微安至數毫安的漏電流，因此不能實現理想的電隔離。（3）由於管壓降大，導通後的功耗和發熱量也大，大功率固態繼電器的體積遠遠大於同容量的電磁繼電器，成本也較高。（4）電子元器件的溫度特性和電子線路的抗干擾能力較差，耐輻射能力也較差，如不採取有效措施，則工作可靠性低。（5...
圖6所示為三相橋式PWM逆變電路，功率開關器件為GTR，負載為電感性。從電路結構上看，三相橋式PWM變頻電路只能選用雙極性控制方式，其工作原理如下：三相調製信號urU、urV和urW為相位依次相差120°的正弦波，而三相載波信號是公用一個正負方向變化的三角形波uc，如圖6所示。U、V和W相自關斷開關器件的控制方法相同，現以...
ADF4350具有一個集成電壓控制振盪器(VCO)，其基波輸出頻率範圍為2200 MHz至4400 MHz。結合外部環路濾波器和外部基準頻率使用時，可實現小數N分頻或整數N分頻鎖相環(PLL)頻率合成器。所有片內暫存器均通過簡單的三線式接口進行控制。 該器件採用3.0 V至3.6 V電源供電，不用時可以關斷。工作原理 ADF4350結合外部環路...
(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓範圍從100V到700V，應有盡有．直接工作在整流380V市電上的電晶體功率開關 電晶體複合(達林頓)和並聯都是有效地增加電晶體開關能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關速度能在很短的...
此時觸發信號即使消失，可控矽仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控矽方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由於受到反向電壓作用將處於截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控矽也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控矽也不能導通。
模擬開關主要是完成信號鏈路中的信號切換功能。採用MOS管的開關方式實現了對信號鏈路關斷或者打開；由於其功能類似於開關，而用模擬器件的特性實現，稱為模擬開關。模擬開關在電子設備中主要起接通信號或斷開信號的作用。由於模擬開關具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使用壽命長等特點，因而，在自動控制系統和...
但近年來自關斷器件(如GTO、IGBT等)的出現給固態斷路器的發展帶來了新的轉機，可以準確控制開斷時刻並能解決故障電流的限流開斷問題。介紹 固態斷流器（Solid State Circuit Breaker）主要依託於現代電子技術，通過無觸點開關實現對斷路器操動速度和準確性的控制。可以說固態斷路器集合了微電子技術、現代通信技術以及...
絕緣柵雙極性電晶體（Insulated Gate Bipolar tansistor，IGBT）是一種複合開關器件，關斷時的電流拖尾會導致較大的關斷損耗，如果在關斷前使流過它的電流降到零，則可以顯著地降低開關損耗，因此IGBT宜採用零電流（ZCS）關斷方式。IGBT在零電壓條件下關斷，同樣也能減小關斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開通時，並不...
3.全可控器件 指能使用控制信號控制其導通和關斷的器件，包括功率三極體（GTR）、功率場效應管（功率MOSFET）、可關斷晶閘管（GTO）、絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、MOS控制晶閘管（MCT）、靜電感應電晶體（SIT）、靜電感應晶閘管（SITH）和集成門極換流晶閘管（IGCT）等。全可控器件從控制形式上還可以分為電流控制型和...
模組化多電平換流器型直流輸電是新一代多電平電壓源換流器直流輸電拓撲，它利用多個子模組串聯，並採用特定的觸發方式使橋臂電壓波形逼近正弦，但其三相間的內部環流使得流過橋臂的正弦電流產生畸變，增大了橋臂電流的峰值，從而提高了對開關器件電流容量的要求。柔性直流輸電裝置的換流器由可關斷器件首先構成子模組...
快速晶閘管是普通晶閘管的一種派生器件，主要用於感應加熱的中頻電源裝置。是用於較高頻率的整流、逆變和變頻電路的器具，並且可以在 400Hz以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大小，其開通時間為4～8微秒，關斷時間為10～60微秒。主要用於較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路。簡介 快速晶閘管是一個PNPN四層三端器件，...
單向可控矽是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控矽是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極體相比，單向可控矽正嚮導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極體相比，差別在於...
20 世紀 50 年代，第一代雙極型功率器件——矽晶閘管成功問世，不僅滿足了當時人們對某些電力開關的需求，也同時指明了電力能源分配由原始的粗放化向精細化發展的方向。隨著研究人員對功率器件物理機理的深入研究以及實驗過程的不斷探索，功率器件的發展可謂突飛猛進。套用於大功率工作環境下的門極可關斷晶閘管（GTO），...
圖2中電阻R為電路的負載,VT為電力電子開關器件,是截波電路中的關鍵部件,它可採用普通型晶閘管、可關斷晶閘管或者其他自關斷器件來實現。由於普通型晶閘管本身無自關斷能力,需要採用強迫換流的方法使其關斷,因而增加了換流迴路和損耗。全控型電力電子器件的出現為截波頻率的提高創造了條件。提高截波頻率可以有效抑制...