基本介紹
- 中文名：可程式金屬化單元
- 外文名：programmable metallization cell
- 縮寫：PMC
- 領域：計算機
簡介,非易失性存儲器,快閃記憶體,
簡介
英飛凌在2004年取得PMC技術的授權，並用來開發導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際套用成果。
最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。
非易失性存儲器
非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。
非易失性存儲器主要有以下類型：
- ROM（Read-only memory，唯讀存儲器）
- PROM（Programmable read-only memory，可程式唯讀存儲器）
- EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀存儲器）
- EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可程式唯讀存儲器）
- EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可程式唯讀存儲器）
Flash memory（快閃記憶體）
硬碟, 光碟與磁帶雖然也是非易失性存儲器, 但現行NVM一般特指非機械式之電子組件。
快閃記憶體
快閃記憶體（英語：flash memory），是一種電子式可清除程式化唯讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的數據。
快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非易失性固態存儲最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、筆記本電腦、數字隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代存儲遊戲數據用的EEPROM或帶有電池的SRAM。
快閃記憶體是非易失性的存儲器。這表示單就保存數據而言，它是不需要消耗電力的。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被移動設備廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成儲存卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。快閃記憶體的寫入速度往往明顯慢於讀取速度。
