可變電阻式存儲器

可變電阻式存儲器（英語：Resistive Random Access Memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非易失性存儲器，類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體。

可變電阻式存儲器通過向金屬氧化物薄膜施加脈衝電壓，產生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。

其結構非常簡單，兩側電極將金屬氧化物包夾於中間，這簡化了製造工藝，同時可實現低功耗和高速重寫等卓越性能。

可變電阻式存儲器的優點在於消耗電力較低，蔡少棠認為，可變電阻式記憶體將會是一種憶阻器的形式。

基本介紹

• 中文名：可變電阻式記憶體
• 外文名：Resistive random-access memory
• 別名：可變電阻式存儲器
• 簡稱：RRAM

非易失性存儲器

非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

類型

非易失性存儲器主要有以下類型：

• ROM（Read-only memory，唯讀記憶體）
• PROM（Programmable read-only memory，可程式唯讀記憶體）
• EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀記憶體）
• EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可程式唯讀記憶體）
• EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可程式唯讀記憶體）

Flash memory（快閃記憶體）

憶阻器

憶阻器（英語：memristor/ˈmɛmrɨstər/），又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於，憶阻器可以在關掉電源後，仍能“記憶”先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於1971年，加州大學伯克利分校的蔡少棠教授根據電子學理論，預測到在電阻器、電容器及電感元件之外，還存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。 正在開發憶阻器的團隊包括惠普、SK海力士、HRL實驗室。

之後從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並套用到了下一代非揮發性記憶體-阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公布了基於TiO₂的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來。但仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。

可程式金屬化單元

可程式金屬化單元（英語：programmable metallization cell，縮寫為PMC），一種新的非揮發性記憶體技術，由亞利桑那州立大學開發，這項專利已授權並轉移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃記憶體。

英飛凌在2004年取得PMC技術的授權，並用來開發導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際套用成果。

最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。

相變化記憶體

相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM,PRAM,PCRAM,CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存儲器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成。硫屬玻璃的特性是，經加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是可能取代快閃記憶體的技術之一。