可程式金屬化單元

可程式金屬化單元（英語：programmable metallization cell，縮寫為PMC），一種新的非揮發性記憶體技術，由亞利桑那州立大學開發，這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃記憶體。

基本介紹

• 中文名：可程式金屬化單元
• 外文名：programmable metallization cell
• 縮寫：PMC
• 領域：計算機

簡介

英飛凌在2004年取得PMC技術的授權，並用來開發導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際套用成果。

目前最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。

非易失性存儲器

非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

非易失性存儲器主要有以下類型：

• ROM（Read-only memory，唯讀存儲器）
  
• PROM（Programmable read-only memory，可程式唯讀存儲器）
  
• EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀存儲器）
  
• EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可程式唯讀存儲器）
  
• EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可程式唯讀存儲器）
  

Flash memory（快閃記憶體）

硬碟, 光碟與磁帶雖然也是非易失性存儲器, 但現行NVM一般特指非機械式之電子組件。

快閃記憶體

快閃記憶體（英語：flash memory），是一種電子式可清除程式化唯讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的數據。

快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非易失性固態存儲最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、筆記本電腦、數字隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代存儲遊戲數據用的EEPROM或帶有電池的SRAM。

快閃記憶體是非易失性的存儲器。這表示單就保存數據而言，它是不需要消耗電力的。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被移動設備廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成儲存卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。快閃記憶體的寫入速度往往明顯慢於讀取速度。

雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM，但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢，相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量數據時帶給其顯著的速度優勢。

快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，快閃記憶體最常見的封裝方式是TSOP48和BGA，在邏輯接口上的標準則由於廠商陣營而區分為兩種：ONFI和Toggle。手機上的快閃記憶體常常以eMMC的方式存在。