可控熱核反應條件,可控熱核反應實驗裝置,①慣性約束裝置,②磁約束裝置,
可控熱核反應條件
可控熱核反應研究的第一步是實現點火。所謂點火是指聚變產生的功率等於電漿輻射損失的功率,這是受控熱核反應實際進行時的最低要求。
可控熱核反應實驗裝置
產生可控熱核反應的實驗裝置有兩大類:
①慣性約束裝置
不用特殊方法維持或約束電漿的裝置。用雷射束或電子束、離子束等照射固態氘或其他燃料製成的小球靶,在對稱雷射束的輻射下,小球靶向中心爆聚。當小球靶的溫度高於一億開,密度比固體高几千倍以上時,就會產生受控熱核反應。實質上,這種熱核反應就相當於微型氫彈爆炸,而“慣性約束”就意味著不約束。
慣性約束涉及很多電漿動力學問題,如激波加熱問題。在爆聚過程中,如果只有單個激波,最大壓縮時的密度只能增加3倍;如果對雷射束的輸出功率進行調製,使電漿產生一系列激波,並在所要求的時間內同時收縮到中心(靶心),則可使密度增大1000倍。要達到這種效果,大約需要7個激波。這樣的時間控制,已在實驗室中實現。慣性約束中的電漿穩定性問題也是電漿動力學研究的問題之一。由於爆聚過程相當於輕流體驅動重流體作加速運動,會產生瑞利-泰勒不穩定性(見磁流體力學穩定性)。其後果不僅使爆聚失去對稱性,影響壓縮比,而且會產生強烈混合,降低燃燒率。這是實現雷射核聚變的主要障礙之一。
②磁約束裝置
學者們曾提出多種把電漿加熱到高溫的方法。首先是歐姆加熱法,即用大電流通過電漿,電漿由於具有一定電阻而產生熱效應,溫度因而升高。但是溫度升到一定程度,電阻便下降,所以此法一般只能加熱到1000萬開左右。其次是磁壓縮法,即用逐漸增強的磁場來壓縮電漿,以達到加熱的目的。目前最有效的加熱法是注入中性束,即把高能的中性粒子束(如氘粒子束)透過磁場注入電漿,從而提高電漿的溫度。採用這種方法,1981年美國的托卡馬克PLT裝置已能達到8000萬開的高溫。目前正在研究的是波加熱法,即把各種不同頻率的波入射到電漿中,通過共振使電漿加熱。