受主電離能(acceptor ionization energy)是2019年發布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名:受主電離能
- 外文名:acceptor ionization energy
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
受主電離能(acceptor ionization energy)是2019年發布的物理學名詞。
受主電離能(acceptor ionization energy)是2019年發布的物理學名詞。公布時間2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。1出處《物理學名詞》第三版。...
受主雜質電離能 受主雜質電離能是使空穴掙脫受主雜質的束縛成為導電空穴所需要的能量。稱為受主雜質的電離能。
電離能小的受主能級是淺受主能級,電離能大的是深受主能級。在能級圖上空穴能量是向下增加的,受主能級在價帶頂上方。硼、鋁、銦、鎵是鍺、矽中的淺受主能級雜質。硼、鋁、銦、鎵也稱為鍺、矽中的P型雜質。深能級受主可能成為...
雜質電離能(Ionization energy)是指半導體中雜質原子上的價電子從價鍵上被激發到導帶或者價帶中而成為載流子(分別產生電子或者空穴)所需要的能量。半導體中的雜質種類很多,主要可分為施主雜質、受主雜質、複合中心雜質以及陷阱中心雜質。...
施主-受主對(以下簡稱D-A對)的電子躍遷能量為 式中在帶隙寬度,和分別表示孤立的施主和受主(對於相應帶邊)的電離能。/是在介電常數為的介質中的庫侖能,其中為電子電量,表示施主和受主之間的距離。因為雜質總是占據點陣中的某些...
受主能級的位置 因為△E 其他 實際上,空穴脫離束縛是電子的運動,是價帶(E)中的電子得到能量後,躍遷到受主能級上,再與束縛在受主能級上的空穴複合,並在價帶中產生了一個可以自由移動的導電空穴,同時也就形成了一個不可移動的...
此概念屬於半導體物理學範疇。 深能級雜質:雜質電離能大,施主能級遠離導帶底,受主能級遠離價帶頂。 深能級雜質有四個基本特點:一是不容易電離,對載流子濃度影響不大。二是一般會產生多重能級,甚至既產生施主能級也產生受主能級。三...
雜質光電導是指雜質半導體中的施主或者受主吸收光子能量後電離,產生自由電子或窄穴,從而增加材料電導率的現象。由於雜質光電導器件中施主或受主的電離能級比同材料的本徵半導體的禁頻寬度要小很多,因此回響波長也要比本徵半導體材料的工作...
(a)施主雜質是Ⅴ族元素,都是替位式雜質;在Ge中的電離能為P[0.012eV]、As[0.013eV]、Sb[0.0096eV];在Si中的電離能為P[0.044eV]、As[0.049eV]、Sb[0.039eV]。(b)受主雜質是Ⅲ族元素,也都是替位式雜質;在...
式中,n=1,2,3…,為主量子數。當n=1時,得到的是基態能量,當n=∞時,是氫原子的電離態。則氫原子基態電子的電離能為 對於半導體中的施主或者受主雜質原子,它對其價電子的束縛比較弱,則可以採用類氫模型來近似計算它們的...