去摻雜是摻雜的逆過程,目的是消除摻雜作用和影響
基本介紹
- 中文名:去摻雜
- 外文名:undoping
- 類別:化學過程
- 反義詞:摻雜
去摻雜是摻雜的逆過程,目的是消除摻雜作用和影響
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摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。... 摻雜程度(doping level)是指在無機半導體中,雜質原子取代主原子位置的過程。
半導體的常用摻雜技術主要有兩種,即高溫(熱)擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類:第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質(如Si中的B、P、As);第二類是產生...
直接摻雜型導電高分子 直接摻雜指在摻雜過程中利用物理手段直接改變聚合物的荷電狀態,或者氧化還原狀態,而沒有加人實際添加物質,如利用電極電勢的電化學摻雜和利用光...
簡介指使用氧化或者還原性物質直接加人被摻雜物質中去,與其發生氧化或還原反應.從而改變其荷電狀態,提高其導電能力的導電聚合物。合成由十導電體是止兩種以上物質複合...
導電高分子材料是主鏈具有共軛主電子體系,可通過摻雜達到導電態,電導率達1000S/cm以上的高分子材料。經過40年的發展,人們對於導電高分子的類型、導電機理以及如何...