原子間距（interatomic distance）是2019年公布的冶金學名詞。
基本介紹
- 中文名：原子間距
- 外文名：interatomic distance
- 所屬學科：冶金學
- 公布時間：2019年
- 屬性：冶金學名詞
定義,出處,
定義
晶體點陣排列中兩原子中心之間的距離。
出處
《冶金學名詞》第二版。
原子間距
相關詞條
- 原子間距
原子間距（interatomic distance）是2019年公布的冶金學名詞。定義晶體點陣排列中兩原子中心之間的距離。出處《冶金學名詞》第二版。1...
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- 原子半徑
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- 原子晶格
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- 石墨結構
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- 共振鍵
有機化學中已知，三種碳一碳共價鍵(單鍵，雙鍵及三重鍵)的鍵長(即原子間距)不等，重鍵數為N的鍵長的經驗公式為d=d₁-0.70logN鮑林借用此式到金屬改為d=d₁-0.60logN ，並由此計算一系列金屬元素的單鍵半徑r₁=（1/2）d₁ 。存在的問題 用鮑林的理論能夠對過渡金屬的結合能、磁性及點陣參數的...
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- 布拉格條件
當電磁輻射或亞原子粒子波的波長，與進入的晶體樣本的原子間距長度相若時，就會產生布拉格衍射，入射物會被系統中的原子以鏡面形式散射出去，並會按照布拉格定律所示，進行相長干涉。對於晶質固體，波被晶格平面所散射，各相鄰平面間的距離為d。當被各平面散射出去的波進行相長干涉時，它們的相位依然相同，因此每一波...
- 密排六方結構
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- 鍵矩
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- 位錯攀移
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③面缺陷，是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種界面，如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。其中的堆垛層錯是指沿晶格內某一平面，質點發生錯誤堆垛的現象。如一系列平行的原子面,原來按ABCABCABC……的順序成周期性重複地逐...
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- 能帶理論
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- 彈塑性
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由於溶質原子和溶劑原子尺寸不同，當一個溶質原子取代了溶劑原子在晶體結構中的位置後，必然會使晶格發生畸變，即在溶質原子周圍產生晶格的彈性應變。溶質原子所引起的點陣畸變並不限於其鄰近局部地區，而會波及相當遠的區域。溶質原子加入後，使固溶體的點陣常數（原子間距）變化。下圖給出了固溶體偏離費伽定律的示意...
- 半導體禁頻寬度
如果由許多孤立原子結合而成為晶體的時候，一條原子能級就簡單地對應於一個能帶，那么當溫度升高時，晶體體積膨脹，原子間距增大，能頻寬度變窄，則禁頻寬度將增大，於是禁頻寬度的溫度係數為正。但是，對於常用的Si、Ge和GaAs等半導體，在由原子結合而成為晶體的時候，價鍵將要產生所謂雜化（s態與p態混合——sp3雜化...
- 最密六方結構
在理想的密排情況下，以晶胞心上地面中心的原子為例，僅與周圍六個角上的原子相接觸，此外又與其相鄰晶胞內的三個原子相接觸，所以最密六方結構的配位數為12。最鄰近的原子間距相等，故可算出最密六方結構的緻密度亦是74，其配位數和緻密度都與面心立方結構相同，這表明此兩種晶體結構都是原子排列最緊密的...
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若一個空位移到了刃位錯滑移面上與位錯線相鄰的位置上，則位錯核心處的原子將有可能“躍遷”到空位處，造成半原子面（位錯核心）向上移動一個原子間距，這一刃位錯“吸收”空位的過程稱為正攀移。若反之，有原子填充到半原子面下方，造成位錯核心向下移動一個原子間距，則稱為負攀移。由於正攀移導致了多餘半原子面...
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總勢能與原子間距離變化的曲線稱為勢能圖（勢能阱）。熱膨脹是晶體最重要的基本性質之一。掌握晶體熱膨脹的變化規律，對生產實踐中合理選擇和使用材料有著重要的意義。晶體溫度上升體積膨脹，晶體平均原子間距在增加，原子的振動能量上升。嚴格來說，原子若作簡諧振動，則振幅關於原子平衡位置對稱，溫度升高並不會使晶體...
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圖4所示，若一個空位移到了刃位錯滑移面上與位錯線相鄰的位置上，則位錯核心處的原子將有可能“躍遷”到空位處，造成半原子面（位錯核心）向上移動一個原子間距，這一刃位錯“吸收”空位的過程稱為正攀移。若反之，有原子填充到半原子面下方，造成位錯核心向下移動一個原子間距，則稱為負攀移。由於正攀移導致了...
