半導體磁敏材料是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 半導體磁敏材料 |
英文名稱 | semiconductor magneto-sensitive materials |
定 義 | 能把磁學物理量轉變成電信號或霍爾效應顯著的半導體材料。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體敏感材料(三級學科) |
基本介紹
- 中文名:半導體磁敏材料
- 外文名:semiconductor magneto-sensitive materials
- 所屬學科:材料科學技術
- 公布年度:2011年
半導體磁敏材料是2011年公布的材料科學技術名詞。
中文名稱 | 半導體磁敏材料 |
英文名稱 | semiconductor magneto-sensitive materials |
定 義 | 能把磁學物理量轉變成電信號或霍爾效應顯著的半導體材料。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體敏感材料(三級學科) |
半導體磁敏材料是2011年公布的材料科學技術名詞。定義能把磁學物理量轉變成電信號或霍爾效應顯著的半導體材料。出處《材料科學技術名詞》。...
在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中,半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件、磁阻元件、磁敏二極體、磁敏三極體等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和矽等。這類器件的優點是結構簡單,體積小,易於集成化,耐衝擊,頻響寬...
磁敏半導體材料有Si、Ge、GaAs、InSb、InAs等。④熱敏半導體材料。具有較強的熱電效應,能將熱學量(溫度)轉換為電信號。某些過渡族元素(如Mn、Ni、Co等)的氧化物,當溫度升高時,其載流子濃度增加,使電阻率下降(負的溫度係數);而另一些金屬氧化物,如以BaTiO3為基的材料,在摻入適當量稀土元素後,其電...
半導體磁敏電阻材料主要是InSb、InAs晶體或薄膜,以及InSb-NiSb共晶體和InSb-In共晶薄膜等。InSb磁敏電阻分為體型和薄膜型兩種。薄膜型採用真空蒸發或真空濺射工藝製備,以真空蒸發為主。薄膜型InSb磁敏電阻的磁溫度特性優於體型InSb磁敏電阻。InAs的溫度特性則優於InSb。InSb-NiSb共晶體中,電阻率比InSb小得多的Ni...
磁敏三極體由鍺材料或矽材料製成。它是在高阻半導體材料上製成P-N結構,在發射區的一側用噴砂等方法破壞一層晶格,形成載流子高複合區。元件採用平板結構,發射區和集電區設定在它的上、下表面。選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然後再用紅表筆...
磁敏電阻是一種對磁敏感、具有磁阻效應的電阻元件。物質在磁場中電阻發生變化的現象稱為磁阻效應。磁敏電阻通常用銻化銦(InSb)或砷化銦(InAs)等對磁具有敏感性的半導體材料製成。半導體材料的磁阻效應包括物理磁阻效應和幾何磁阻效應,其中物理磁阻效應又稱為磁電阻率效應。當外加磁場的方向或強度發生變化時,磁敏...
力敏材料:能夠根據針對材料的壓力變化,發生有規則的電阻、磁性、介電或半導等物理特性變化的敏感材料。 磁敏材料:能夠將磁能轉換電信號的敏感材料。 濕敏材料:可以吸附、吸收或凝結空氣中的水蒸汽,並能夠根據水蒸汽量改變電阻值的敏感材料。 氣敏材料:能夠根據某種氣體濃度變化改變電阻值的敏感材料。 光敏材料:能夠根據...
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與積體電路相區別,有時也稱為分立器件。絕大部分二端...
半導體感測器主要是矽材料,其次是鍺、砷化鎵、銻化銦、碲化鉛、硫化鎘等。主要用於製造力敏、熱敏、光敏、磁敏、射線敏等感測器。陶瓷感測器材料主要有氧化鐵、氧化錫、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁、鈦酸鋇等,用於製造氣敏、濕敏、熱敏、紅外敏、離子敏等感測器。金屬用作感測器的功能材料不如半導體和陶瓷材料廣泛...
這些方面除外附補償電路外,在材料方面也在不斷的進行改進。霍爾感測器主要有兩大類,一類為開關型器件,一類為線性霍爾器件,從結構形式(品種)及用量、產量前者大於後者。霍爾器件的回響速度大約在1us 量級。三,磁阻感測器 磁阻感測器,磁敏二極體等是繼霍爾感測器後派生出的另一種磁敏感測器。採用的半導體材料於...
半導體感測器的主要套用領域是工業自動化、遙測、工業機器人、家用電器、環境污染監測、醫療保健、醫藥工程和生物工程。分類 半導體感測器按輸入信息分為物理敏感、化學敏感和生物敏感半導體感測器三類 物理敏感類 將物理量轉換成電信號的器件,按敏感對象分為光敏、熱敏、力敏、磁敏等不同類型,具有類似於人的視覺、聽覺...
杭州森尼克微芯半導體有限公司於2019年08月26日成立。法定代表人陳占勝,公司經營範圍包括:研發和生產半導體材料、高靈敏度磁敏材料、晶圓、晶片和感測器;智慧型感測模組及相關電子產品的設計、生產、研發及銷售;貨物或技術進出口(國家禁止或涉及行政審批的貨物和技術進出口除外);模具製造;工裝治具設計、加工;五金機械...
其中,半導體製造材料市場為4.97億美元,封裝材料市場為10.64億美元;2005年,中國覆銅板年產量約為20055萬平方米,同比增長20.7%,總銷售額達169億元,同比增長26%,出口額為57018萬美元,年出口量增長5.66%。中國覆銅箔層壓板生產量已居世界第二位。加入WTO後,經濟全球化,用戶採用進口材料,對國內電子材料...
(4) 巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數和層間材料的不同組合,可以製成不同的機制的巨磁電阻(giant magneto - resistance) 磁感測器。它們呈現出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研製高密度記錄磁碟讀出頭的科技人員的極大關注,已見有5 G位元組的自旋閥頭的設計分析...
6 3 4半導體磁阻器件感測器 6 4鐵磁性金屬薄膜磁阻材料及感測器 6 4 1鐵磁性金屬薄膜材料的各向異性磁阻效應 6 4 2鐵磁性金屬薄膜材料及磁阻器件製造工藝 6 4 3鐵磁性金屬薄膜磁阻器件的結構與工作原理 6 4 4鐵磁性金屬薄膜磁阻器件的技術參數及特點 6 4 5鐵磁性金屬薄膜磁阻器件感測器 6 5巨磁阻材料及...
第6章半導體磁敏元件與感測器 6.1半導體的磁敏效應 6.2霍爾元件 6.2.1霍爾元件的結構 6.2.2基本測試電路 6.2.3電磁特性 6.2.4霍爾元件的製備工藝 6.2.5霍爾元件的特性參數 6.2.6霍爾元件的補償技術 6.2.7基本電路 6.2.8霍爾元件的套用 6.3磁阻元件 6.3.1幾何磁阻效應 6.3...
磁敏三極體 磁敏三極體由鍺材料或矽材料製成。圖是磁敏三極體的結構圖。它是在高阻半導體材料i上製成N+-i-N+結構,在發射區的一側用噴砂等方法破壞一層晶格,形成載流子高複合區r。元件採用平板結構,發射區和集電區設定在它的上、下表面。判別及計算 判別基極和管子的類型 選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔...
例如光電子技術促進了光磁材料和磁光材料的研製。磁性半導體材料和磁敏材料和器件可以套用於遙感、遙則技術和機器人。人們正在研究新的非晶態和稀土磁性材料(如FeNa合金)。磁性液體已進入實用階段。某些新的物理和化學效應的發現(如拓撲效應)也給新材料的研製和套用(如磁聲和磁熱效應的套用)提供了條件。
另外,利用gmr薄膜材料可研製出各種用途的磁性編碼器。磁性編碼器的優點在於不易受塵埃、結露、影響、對潮濕氣體和污染不敏感,同時其結構簡單緊湊,可高速運轉,而且其回響速度快(納秒級),體積比光學式編碼器小,而成本更低,且易將多個元件精確地集成,比用光學元件和半導體霍爾磁敏元件更容易構成新功能器件和多...
磁敏元件 一種磁電轉換元件,包括霍爾元件、磁阻元件、磁敏二極體、磁敏電晶體等。霍爾元件也稱為霍爾發生器,是利用霍爾效應製成的半導體器件。霍爾元件的磁靈敏度用某一給定控制電流條件下的霍爾電壓與磁感應強度的比值為單位。磁阻元件是利用半導體材料的磁阻效應工作的。它的磁靈敏度稱為磁阻係數,即磁阻元件在某...
MES 場效應管宜用砷化鎵材料,而MOS電晶體在矽大規模積體電路中用得最為普遍。電晶體根據使用範圍的不同,可分為功率電晶體、微波電晶體和低噪聲電晶體等。除了作為放大、振盪、開關用的一般電晶體外,還有一些特殊用途的電晶體,如光晶體三極體、磁敏電晶體。場效應感測器等。這些器件既能把一些環境因素(光、磁、...
8.3.4ZnO系半導體氣敏器件229 8.3.5Fe2O3系半導體氣敏器件232 8.3.6Nb2O5系氧敏器件235 8.3.7ZrO2系氧敏器件237 8.3.8其他氣敏器件238 9磁敏器件241 9.1磁敏效應241 9.1.1霍爾效應241 9.1.2磁致伸縮效應243 9.1.3磁熱效應244 9.1.4光磁電效應248 9.2磁敏材料249 9.2.1半導體磁敏...